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FMS主席Chuck Sobey:新一代闪存技术 从概念到量产路径探索

闪存技术发展日新月异,逐渐成为存储市场的中坚力量,然而对于新一代闪存技术从概念到量产之路是怎么样的?对于一些创新闪存技术一新30年的说法,在2018中国存储与数据峰会上,美国闪存峰会(FMS)大会主新一代闪存技术:从概念到量产路径探索席Chuck Sobey通过《新一代闪存技术:从概念到量产路径探索》的主题演讲为大家展开介绍。

以下为演讲实录:

我们来讨论新一代存储,在2年前的美国闪存峰会上曾有人介绍中国半导体供应的不平衡性,当时惊讶于中国在进口半导体上花费量甚至高于石油,因此,发展中国自己的半导体行业对中国是一个战略性发展。

而美国也有NAND发展战略,还有其他的一些存储技术,我们看到过去的几年里,不同类型的新存储技术不断出现,还有一些技术未成功。因此今天跟大家介绍的是一条非常明确的道路,如何开发一个新的存储技术。

我认为从概念到量产道路明确,但并不简单直接,而是充满了荆棘。目前有很多非常受欢迎的新兴技术,例如相变存储,MRAM,ReRAM,NRAM等。

此外,最近的几个月,我还有一些关于闪存方面的新发现,以前虽然很早就有的,但我们也当做一个新技术,如果有新的设计,比如机器学习的加速器或人工智能的部署,不同的公司有不同的闪存技术,那么到底哪些技术是我们需要坚持和发展的。

我认为要尽可能关注物理学,第二个就是技术的长久性,追求长期发展。我们先来简单介绍一些比较典型的闪存新技术:

2015年7月28日,美光和英特尔发布3DXPoint NVM,号称速度比NAND快1000倍,虽然是2015年发布,但现在依然可以称得上是一项新技术。英特尔和美光认为,3DXPoint是最快的NAND,比MRAM便宜,大部分的说法是对的,但是我们可以从不同角度来看,比MRAM更便宜,要用在什么地方?这不是取代,而是一个新的应用场景的出现。

2016年4月13日,Everspin Technologies 发布了256Mbit STT-MRAM,

2018年8月6日,也就是今年的美国闪存峰会上,IBM宣布发布基于Everspin STT-MRAM 的SSD。

当然我们还有针对NRAM方面的Carbon Nanotube NVM应用,它能够实现三百年的数据存储,但在发展中还需要一些其他的技术创新,这就是我所讲的路径,其实所有的新技术都有这样的路径,这个路径究竟指的是什么?我分为三个部分。

第一个阶段:构建。从概念到样品,我们做一到两个模型,希望可以得到一些反馈做成样品,大家愿意测试。

第二个阶段:发展壮大。我们寻找合作伙伴评估样品,再进行改进,目的是找到你的闪存有哪些好的应用,有些是优点,有些是缺点,我们一定要找一个合适的应用,具有自身明显优势的应用,如果没找到,那就是没找对!找到了才能开始试生产,有愿意给你大规模生产的工厂。

当然这里有一些所谓的捷径,刚刚做完演示就投入大规模量产,或者制作完样品就直接规模化,但有时候效果不是特别好,有时候可能会损失很多的资金。

而第三阶段:不断更新。我们要看长期的发展,长期的进步。正如比比尔盖茨所说,“人们总是高估了未来一到两年的变化,而低估了未来十年的变革”。

每种存储技术都必须多次从“新”出发以继续长期进步。另外有很多技术指标,我们需要进行考察,需要关注的这些指标或者参数的变化,很早你就会发现有哪些技术你可能落后了。

对我来说,最关键的就是物理,因为好处在于大家的物理都是一样的,优势,相同,因此我们需要一起找最简单最适用的方法,如果没有发现最完美的解释,一定要走下一步。

存储会持续的发展,发展会非常快,DNA存储刚刚出现,密度前所未有的高,而且我们预计它现在能将所有的数据库都可以填满了,我相信不管未来产业怎么发展,还是要走刚才我所走的道路。

总结一下,在技术角度来说,各种各样的技术理论会越来越多,在合作伙伴方面,我们发展一定要小心,但是一定要有收益,否则你会浪费很多投资者的资金,对利润必须要有耐心,但发展一定要积极,因为它会带来极大的影响。

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