FMS主席Chuck Sobey：新一代闪存技术 从概念到量产路径探索

闪存技术发展日新月异，逐渐成为存储市场的中坚力量，然而对于新一代闪存技术从概念到量产之路是怎么样的？对于一些创新闪存技术一新30年的说法，在2018中国存储与数据峰会上，美国闪存峰会（FMS）大会主新一代闪存技术：从概念到量产路径探索席Chuck Sobey通过《新一代闪存技术：从概念到量产路径探索》的主题演讲为大家展开介绍。

以下为演讲实录：

我们来讨论新一代存储，在2年前的美国闪存峰会上曾有人介绍中国半导体供应的不平衡性，当时惊讶于中国在进口半导体上花费量甚至高于石油，因此，发展中国自己的半导体行业对中国是一个战略性发展。

而美国也有NAND发展战略，还有其他的一些存储技术，我们看到过去的几年里，不同类型的新存储技术不断出现，还有一些技术未成功。因此今天跟大家介绍的是一条非常明确的道路，如何开发一个新的存储技术。

我认为从概念到量产道路明确，但并不简单直接，而是充满了荆棘。目前有很多非常受欢迎的新兴技术，例如相变存储，MRAM，ReRAM，NRAM等。

此外，最近的几个月，我还有一些关于闪存方面的新发现，以前虽然很早就有的，但我们也当做一个新技术，如果有新的设计，比如机器学习的加速器或人工智能的部署，不同的公司有不同的闪存技术，那么到底哪些技术是我们需要坚持和发展的。

我认为要尽可能关注物理学，第二个就是技术的长久性，追求长期发展。我们先来简单介绍一些比较典型的闪存新技术：

2015年7月28日，美光和英特尔发布3DXPoint NVM，号称速度比NAND快1000倍，虽然是2015年发布，但现在依然可以称得上是一项新技术。英特尔和美光认为，3DXPoint是最快的NAND，比MRAM便宜，大部分的说法是对的，但是我们可以从不同角度来看，比MRAM更便宜，要用在什么地方？这不是取代，而是一个新的应用场景的出现。

2016年4月13日，Everspin Technologies 发布了256Mbit STT-MRAM，

2018年8月6日，也就是今年的美国闪存峰会上，IBM宣布发布基于Everspin STT-MRAM 的SSD。

当然我们还有针对NRAM方面的Carbon Nanotube NVM应用，它能够实现三百年的数据存储，但在发展中还需要一些其他的技术创新，这就是我所讲的路径，其实所有的新技术都有这样的路径，这个路径究竟指的是什么？我分为三个部分。

第一个阶段：构建。从概念到样品，我们做一到两个模型，希望可以得到一些反馈做成样品，大家愿意测试。

第二个阶段：发展壮大。我们寻找合作伙伴评估样品，再进行改进，目的是找到你的闪存有哪些好的应用，有些是优点，有些是缺点，我们一定要找一个合适的应用，具有自身明显优势的应用，如果没找到，那就是没找对！找到了才能开始试生产，有愿意给你大规模生产的工厂。

当然这里有一些所谓的捷径，刚刚做完演示就投入大规模量产，或者制作完样品就直接规模化，但有时候效果不是特别好，有时候可能会损失很多的资金。

而第三阶段：不断更新。我们要看长期的发展，长期的进步。正如比比尔盖茨所说，“人们总是高估了未来一到两年的变化，而低估了未来十年的变革”。

每种存储技术都必须多次从“新”出发以继续长期进步。另外有很多技术指标，我们需要进行考察，需要关注的这些指标或者参数的变化，很早你就会发现有哪些技术你可能落后了。

对我来说，最关键的就是物理，因为好处在于大家的物理都是一样的，优势，相同，因此我们需要一起找最简单最适用的方法，如果没有发现最完美的解释，一定要走下一步。

存储会持续的发展，发展会非常快，DNA存储刚刚出现，密度前所未有的高，而且我们预计它现在能将所有的数据库都可以填满了，我相信不管未来产业怎么发展，还是要走刚才我所走的道路。

总结一下，在技术角度来说，各种各样的技术理论会越来越多，在合作伙伴方面，我们发展一定要小心，但是一定要有收益，否则你会浪费很多投资者的资金，对利润必须要有耐心，但发展一定要积极，因为它会带来极大的影响。

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