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中国存储集体亮相FMS,圣塔克拉拉刮起中国风

【来自美国硅谷圣塔克拉拉消息】

2018年全球最大规模的闪存峰会(FMS)于2017年8月7日美国硅谷圣塔克拉拉国际会展中心召开,开场第一天,中国存储业界再次集体亮相主题为“中国闪存发展和机会”专场论坛,展示中国闪存产业的发展状况和未来机会。连续六年来,该专场都安排在第一天早上的第一批专题论坛,是闪存峰会热点论坛之一。

会议开始是中国专场主席骆建军博士对各位来自全球各地的听众和来自中国的各位专家们致以热烈的欢迎。骆建军博士是华澜微电子股份有限公司CEO,也是杭州电子科技大学微电子研究中心教授。他表示,中国的市场机遇和闪存的发展是未来闪存市场发展的重要基石,中国企业在闪存方面的应用是能够给其他国际友商需要参考的重点,通过不断的参与和互动,未来中国闪存能够带来更多应用方向和发展良机。

第一位演讲嘉宾——百易传媒CEO郑信武发表了《闪存加速中国数字经济》的主题演讲。郑总首先介绍了现今中国存储产业专业会议的组织与召开情况,并围绕闪存技术全景图介绍了中国闪存市场的发展现状,他指出中国本土厂商约占闪存厂商总数的三分之一,主要集中在产业链中下游,如SSD和存储组件,控制器和闪存存储系统等领域,但营收占比却不足20%。而2019年是中国存储芯片产业的生产元年。以投身NAND Flash市场的长江存储、专注移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于通用存储芯片的晋华集成为主,三家企业芯片厂都将在明年竣工并投入量产,并对全球DRAM与NAND Flash市场供给产生重大影响。

第二位演讲嘉宾,中科院刘明院士发表了《RRAM面向未来存储与计算应用的研究进展》,刘院士指出在过去的60年中,计算性能提升了1010倍,我们面临摩尔定律逐渐失效,传统存储限制,冯诺依曼架构中内存性能瓶颈等挑战,NVM在未来计算中将发挥重要作用,通过融合M(memory)/S(storage)简化内存体系结构,集成M(memory)/C(computing)解决内存墙问题,实现类大脑高效计算,而在一代NVM 器件竞争中,RRAM作为新型存储技术是一个理想的选择。

第三位演讲嘉宾为紫光得瑞工程师Meng Xin发表了《NAND结构感知控制器架构》,指出现今NAND Flash面临的挑战,以及如何借助NAND结构感知实现自适应误差抑制(Adaptive Error Mitigation),其中主要包括噪音单元修复(Noise Cells Repair),动态单元评级(Dynamic Cell Levels),标记识别坏闪存块并清除,以及自适应RAID。

第四位演讲嘉宾为华为存储首席架构师查伟发表了《构建基于存储系统的键值闪存盘》演讲。围绕键值磁盘的定义,展开键值闪存盘存储系统的演进之路,并详细介绍了构建基于存储系统闪存盘的三项技术创新——协议优化,FTL优化,标准化键值接口。

第五位演讲嘉宾为奇维科技(Keyway Technology)Chen Banghong发表了《边缘计算的存储趋势》,介绍边缘计算的特征以及其存储需求,指出在边缘计算SSD的发展趋势,即满足SSD性能需求,基于日期的文件管理以及具备AI特征。

第六位演讲嘉宾为GigaDevice兆易创新战略营销VP Michael Wang发表了《来自大中华区的NOR Flash:从追随者到领导者》,先介绍了闪存技术的发展历程,NAND与NOR Flash的区别应用。他表示,目前NAND闪存在智能手机和SSD市场占据主导地位,而NOR Flash则坚定自身定位,成为嵌入式系统中不可或缺的代码存储器。未来随着物联网,智能手机和汽车应用的推动,NOR Flash将再次实现高速发展。

在前面六位专业人士的展示之后,大会还有为期2天的产品展览和各种洽谈。明显区别于开始的几届闪存峰会(FMS)几乎看不到中国企业参展,这次参展的中国企业比以往任何一次都多,包括紫光集团、华为、兆易创新、华澜微、忆恒创源等中国大陆企业。骆建军博士说:“本次论坛的演讲,一如既往被安排在闪存峰会第一天的第一时间,得益于这几年中国存储产业升温很快,大家都看到了未来数据产业的巨大潜力。也得益于中国企业越来越接轨全球产业。而闪存产值占据了全球半导体产业约三分之一,也形成了大数据/云系统的主要硬件设备的成本,是有个战略性的领域,不仅仅对中国信息产业很重要,对全球产业格局也影响很大。”本次论坛充分显示了中国的存储产业正在起步发展,是大家非常关注的热点。

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