【0604今日热点】中国反垄断调查三家存储芯片巨头；三星或将瞄准128层3D NAND研发 ；金士顿发布首个双重安全加密3D闪存SSD

三星、海力士、美光，价格垄断？

中国反垄断机构于近日对三星、海力士、美光于京、沪、深的办公室展开调查，三巨头有碍公平竞争的行为和部分企业的举报，推动中国反垄断机构发起此次调查。近两年，存储芯片价格持续看涨。受存储芯片涨价因素，2017年，中国进口存储芯片889.21亿美元，同比2016年637.14亿美元，增长39.56%。2017年底、2018年5月，反垄断机构已就持续涨价问题分别约谈三星、美光。

价格垄断行为在寡头垄断行业属于常见市场行为。2005-2006年间，美国司法部曾裁定三星、海力士、英飞凌、尔必达、美光在1999-2002年间存在价格垄断行为，对前四家公司处以总计7.29亿美元罚款，美光因率先认罪并协助调查而免于处罚。7.29亿美元罚款中，三星的销售处罚为2.4亿美元，占其在1999-2002年美国12亿销售额的20%。

中国半导体论坛根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。在国内，根据《反垄断法》、《反价格垄断规定》，经营者存在价格垄断行为的，按照《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间。若裁定三大巨头存在价格垄断行为，并按照2017年在中国销售额进行处罚，那么罚款额将在4.4亿美元-44亿美元之间，而如果考虑从2016年至今的市场行为，以2016-2017年度销售额进行处罚，那么罚金将在8亿美元-80亿美元之间。

三星或将瞄准128层3D NAND研发

闪存市场消息，近两年NAND Flash涨价后，经过近一年的价格调整，截止到2018年5底NAND Flash基本已回到2016下半年的价格水平。在NAND Flash跌价的行情下，拥有成本优势是在市场上竞争的关键。三星除了扩大64层3D NAND生产比重，还将于2018年抢先量产96层3D NAND，并将于韩国华城、平泽厂量产，并投入128层3D NAND研发。但也有相关人士表示，由于96层3D NAND技术难度相对较大，或以92层作为过渡技术。

东芝与西部数据(WD)曾宣布96层3D NAND已完成研发，并屡次扩大Fab6工厂的投资金额，其制造设备投资就是用于96层3D NAND量产而准备，再加上Fab6二期和Fab7工厂的建设动作，以及三星西安厂二期开始新建，三星与东芝的NAND Flash霸主之争即将拉开序幕。

英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势，曾表示第三代3D NAND技术（96层）的开发将于2018年年底或2019年初交付，预计英特尔和美光96层3D NAND可在2019下半年实现量产。

至于SK海力士目前NAND Flash技术没有明确的消息，但在三星、东芝、美光、英特尔积极投入96层3D NAND技术竞争中，相信SK海力士在2018年也会积极进行96层3D NAND的研发工作，若顺利也有望在2019年投入量产。

金士顿发布首个双重安全加密3D闪存SSD

驱动之家报道称，金士顿近日发布UV500系列新款SSD，现在最顶级的2TB大容量型号开始发货了，2.5寸盘规格。

金士顿宣称，UV500系列是全球第一款同时支持AES-256全盘硬件加密、TCG Opal 2.0安全技术的3D闪存SSD。

该盘采用了Marvel 88SS1074主控，支持第三代LDPC低密度奇偶校验纠错，并有可靠性和耐久性增强，搭配3D TLC闪存颗粒，容量120GB起步，还有240GB、480GB、960GB(1TB)、1920GB(2TB)，其中前三种有2.5寸、M.2、mSATA三种形态，后两种大容量则仅有2.5寸。

性能方面，持续读取都是520MB/s，持续写入120GB款仅有320MB/s，其他都有500MB/s；随机读取均为79000 IOPS，随机写入18000-50000 IOPS不等，容量越大越高。

寿命方面，五款型号的终生写入量分别为60TB、100TB、200TB、480TB、800TB，比较一般，仅相当于5年质保期内每四天一次全盘写入，另外平均故障间隔时间100万小时。

价格方面，1960GB 2.5寸型号官方标价695.50美元，约合人民币4460元。其他四种型号在美国亚马逊上售价分别为47、90、153、288美元。

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