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IBM公布超高密度存储技术 大量节省成本

    IBM在2003年12月8日于美国召开的“IEDM 2003”国际半导体制造技术会议上,公开了高密度存储技术(开发代号:Millipede)的最新进展。该技术采用扫描数千个微小探针的方法来记录和显示信息。Millipede使用水平方向尺寸为10nm左右的微小尖端的拱型装置(Cantilever,悬臂),在塑料薄膜上形成微孔(Pit,凹坑)。各凹坑支持独立的位信息。为了提高记录和显示的数据传输速度,同步运行数千个悬臂。一个悬臂在100μm的区域里被扫描,以十几nm~数十nm间隔形成微小凹坑。

    IBM曾于1998年发布了Millipede的第一个样品芯片。当时具有1024个(纵32个×横32个)个悬臂。1999年成功地实现了1024个悬臂的同步运行(读取、写入)。

    此次最新公布了两项成果。一项是样品芯片的记录密度实现了1.140Tbit/平方英寸。首次超过1Tbit/平方英寸。凹坑间隔为13nm。另一项是使用实际图像数据,进行信息的记录和显示,通过对当时的误码率进行实测,得到了与现有硬盘相匹敌的6×10-5。不过,实测采用的Millipede记录密度为数百Gbit/平方英寸。

    如果进展顺利,2006年下半年投产。对于Millipede的实用化时间和目标应用,IBM公布了目前的预测。“具体的投产计划尚未确定。但从技术角度来看,进度可能如下:如果进展顺利,估计首批产品将于2006年下半年上市。最初的应用领域可能是取代手机、PDA和数码相机等便携终端产品中的闪存EEPROM。可能在‘MMC卡’等超小型存储卡架构中封装Millipede。届时存储卡存储容量从最初上市的产品开始就将达到约10GB,之后预计将会提高到数十GB。2006年~2007年估计Millipede每MB的成本将能降低到闪存EEPROM的1/5~1/10”。
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最新的Millipede芯片。具有64个×64个悬臂

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