英特尔新型NOR闪存 简化结构降低成本

    英特尔日前推出新内存“LV18/LV30”，可以将相机手机所需的各种内存集成于1个封装内。该公司将把用于保存程序的NOR闪存EEPROM芯片、用于工作用途的RAM芯片以及面向保存图片及影像等数据的新开发的NOR型闪存EEPROM芯片集成在1个封装内，以叠层CSP的形式提供。安装高度为1mm～1.4mm的封装内可以内置2～5枚芯片。封装的外形尺寸为8mm×11mm，外部端子数为88引脚。

    英特尔今后将提供改变内置芯片组合的各种叠层CSP。首先，将于2003年11月开始，供应1个封装内层叠两枚基于最小加工尺寸130nm的256Mbit NOR闪存EEPROM芯片的叠层产品（合计容量为512Mbit的闪存EEPROM）的工业样品，量产供货将于2004年2月开始。集成的2枚芯片在功能上有所分工，也就是说其中1枚NOR闪存EEPROM芯片用于保存程序，而另一枚NOR闪存EEPROM用于保存数据。在合计容量为512Mbit的产品开始量产后，该公司将在几个月后开始量产容量为768Mbit的产品（内置3枚256Mbit NOR芯片），再几个月后量产容量1Gbit的产品（内置4枚256Mbit NOR芯片）。

此次将供应的最小加工尺寸130nm的256Mbit多值NOR闪存EEPROM

    

最小加工尺寸90nm的NOR闪存EEPROM

    此次开始供货的产品具有如下特点：数据保存方面，将采用最小加工尺寸比目前的产品制造成本降低近30%的多值NOR闪存EEPROM。该产品将用于对抗目前面向手机相继推出的NAND闪存EEPROM。英特尔通过降低在保存数据用途中不必要的芯片规格、简化检测作业来实现低成本。比如，读取接入时间由原来产品的85ns改为170ns。而且省略了突发模式（Burst Mode）及多存储体（Multi Bank）读取的检测程序。另外，使用的芯片与英特尔的多值NOR闪存EEPROM“StrataFlash”相同。

    英特尔将在下一代产品??最小加工尺寸90nm的产品中，在保存数据用途方面采用新设计的NOR闪存EEPROM。内存单元采用的部件与保存程序的相同，通过省略保存数据用途需要的外部电路，以减小芯片面积。通过这种技术，可以将制造成本削减为目前保存程序用的StrataFlash的一半左右。“在最小加工尺寸130nm的产品中，保存数据的NOR闪存EEPROM的成本竞争力也丝毫不比NAND型逊色。在最小加工尺寸90nm的产品中，我们的优势将更为明显”（英特尔）。英特尔计划在叠层CSP中内置采用最小加工尺寸90nm的、最大容量为3Gbit的NOR闪存EEPROM，而后将在叠层CSP中集成采用下一代最小加工尺寸65nm的6Gbit的NOR闪存EEPROM。

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