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富士通AMD:七月份正式成立全球最强的闪存制造商

      富士通和美国AMD于4月1日宣布,将共同成立专业闪存制造公司。这两家公司将在今年7月份在美国成立“FASL Limited Liability Company”。


  新公司将从事开发、制造以及营销闪存产品业务,产品将由富士通和AMD销售。富士通主管电子设备业务的小仓正道常务(照片右)对新公司期待很高,他表示,“本公司的优势在于业务范围广,能够将内存及处理器技术组合到系统或软件中。我们希望与AMD一起成为全球实力最强的闪存专业制造商”。

      上述两家公司自从1993年开始在日本国内成立并运营闪存芯片制造合资公司“富士通AMD半导体(FASL)”。两家公司借此次发表的机会,追加了嵌入作业及测试等芯片制造的后期业务、研究开发以及营销业务,作为新公司开始新的发展。

      小仓常务在谈到成立新公司的理由时说明,“由于手机及数码相机等产品的普及,导致闪存市场扩大。另外,由于利用闪存的产品种类越来越多,所以必须以比以往更高的效率开展业务”。在AMD负责内存业务的高级副经理长巴特兰德坎布(照片左)对于新公司期待也很高,他表示,“新公司通过将研究开发及营销等业务一体化,将可以迅速开展业务”。

      新公司董事长将由富士通的小仓常务担任,首席执行官(CEO)计划由AMD的高级副经理坎布就任。新公司的出资比率如下,预计AMD占60%,富士通将占40%。小仓常务强调,“今后本公司重视内存领域的立场将不会发生变化。虽然出资比率(比AMD)低,但是我们将积极参与新公司的经营”。

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