SiS：推出R659芯片组 支持串行ATA和8个USB2.0

    SiS、Samsung、Rambus和ASUS今天联合发布了SiS R659芯片组，其支持4通道PC1200 RDRAM，最大内存带宽达到9.6GB/s，远高于双通道DDR400，最大容量支持16GB。

SiS R659将与SiS964南桥搭配，其内建串行ATA控制单元并支持8个USB2.0接口，采用1GB/s的MuTiol南北桥连接技术。该芯片组将在今年第三季度正式出货。