2003年1月14日 — 中国 — AMD (NYSE: AMD) 及 IBM (NYSE: IBM) 今日宣布两家公司已达成协议，同意合作开发适用于生产新一代高性能产品的芯片工艺技术。
AMD及IBM 合作开发新的工艺技术，目的是要提高微处理器的性能及降低其功耗，而新的工艺技术将采用先进的结构及材料如高速绝缘硅芯片 (SOI) 晶体管、铜导线互连及更有效的 “低 k 电介质” 绝缘材料等。
这项协议的内容包括合作开发 65 nm 及 45 nm (毫微米，即十亿分之一米) 的工艺技术，以便用于生产 300 mm (毫米) 的硅晶圆片。
AMD 技术运营高级副总裁兼首席科学家 Bill Siegle 表示：“我们计划在 2003 年第四季开始生产 90 nm 的解决方案，因此目前我们正加强新工艺技术的开发工作，以便尽快推出 65 nm 及以下的新一代处理器。由于 AMD 与 IBM 这家在业界居领导地位的厂商合作，因此我们能为客户提供性能卓越及功能齐备的技术，但同时又能省却许多不断增加的开发成本。”
AMD 及 IBM 可以分别利用这些合作开发的技术各自在自已的芯片厂生产自己品牌的产品，两家公司也可分别与其他厂商合作，采用这些技术另外生产其他产品。两间公司计划在 2005 年推出第一批采用崭新 65 nm 工艺技术制造的产品。
IBM 微电子部技术与新兴产品副总裁兼 IBM 院士 Bijan Davari 表示：“以目前来说，最先进的芯片设计及物料技术都有庞大的市场需求。我们与 AMD 合作，主要是希望将双方合作开发的技术迅速应用到产品之内，以及协助客户尽快将有关产品推出市场。”
这项开发计划将由 AMD 及 IBM 的工程师共同负责。整个开发过程则在 IBM 设于美国纽约 East Fishkill 工厂内的半导体研究及开发中心进行。这个项目的开发工作计划在 2003 年 1 月 30 日正式展开。
