此前，截止频率超过300GHz的晶体管使用的是InP等化合物半导体。IBM在距此次发表正好1年前的“2001 IEDM”上，发表了通过使用InP的异质结双极晶体管（HBT），截止频率达341GHz的当时世界最高速度的元件。在2001年，基于SiGe技术的双极晶体管的最高截止频率是由IBM发表的210GHz。在短短的1年内将截止频率提高了近1倍，并达到了与InP技术相媲美的性能。
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IBM日前成功开发出了截止频率高达350GHz的双极晶体管。该晶体管使用SiGe技术，“在使用硅材料的晶体管中达到了世界最高速度”（IBM）。美国IBM计划在今后2年内通过使用此项技术开发出截止频率超过150GHz的通信设备用IC，并初步拟定使用于无线LAN系统的热点及路由器等用途。该公司计划在2002年12月9日～11日于美国加利福尼亚州旧金山举行的“2002 International Electron Devices Meeting (IEDM)”上发表此次研发成功的双极晶体管的细节。
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