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标签:芯片 第102页

2007年科技回顾:纳米芯片技术发展给存储的影响

2007年1月,美国英特尔公司和IBM公司表示,使用铪金属作为电介质,开发出45纳米线宽的晶体管技术工艺,使芯片的集成度比目前65纳米线宽的技术工艺提高1倍,运行速度提高20%,器件功耗降低30%。这是40年来晶体管技术获得的重大突破。 2...

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RamBus 于东京推出全新TB级带宽多核存储芯片-DOIT-数据产业媒体与服务平台

RamBus 于东京推出全新TB级带宽多核存储芯片

RamBus将公布一款为未来多核构架准备的,全新TB级带宽的多核心存储芯片结构。 这一设计使用了16个DRAM通道,每个通道都可以直接连接到多核心处理器组,速度传输率16Gbps,每个时钟周期传送4bytes数据,这样的带宽就超过了1024...

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