标签：NAND 第2页

youjia 发布于 2011-04-19

4月19日消息，据国外媒体报道，据台湾集邦科技(dramexchange technology inc)周一发表的行业数据显示，NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的新高，反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。 集邦科技的数据显示，4月...

标签：NAND / 芯片 / 闪存

liukai 发布于 2011-03-17

全新的闪存接口标准现已公布，新的标准访问吞吐达到400MB/s，比现有NAND的速度提升了一倍。这样可使闪存对消费级电子设备及商业计算更具有吸引力。 Open NAND Flash Interface（ONFI）工作组已经公布了其ONFI 3.0标准。该公司成立于2006年5月，...

标签：NAND / ONFI / ONFI3.0 / 闪存

youjia 发布于 2011-03-17

3月17日消息，据国外媒体报道，市场研究公司IHS iSuppli首席分析师迈克尔·杨(Michael Yang)当地时间周三表示。日本地震海啸灾难将影响苹果的闪存供应，但其受到的影响要小于其他公司。 迈克尔·杨称，“苹果的闪存芯片供应目前...

标签：NAND / 日本地震 / 芯片 / 苹果 / 闪存

youjia 发布于 2011-03-14

北京时间3月14日消息，据国外媒体报道，全球著名调查研究机构Gartner分析师安德鲁诺伍德周五(11日)预计，日本近日遭遇大规模地震后，用于智能手机及平板电脑的NAND型快闪记忆体晶片现货市场价格恐因而大幅上涨，不过全球供应所受冲击可能有限。 周五下午，日本东北部外海发生芮氏规...

标签：NAND / 晶片 / 诶本地

liukai 发布于 2011-03-14

东芝在美国的合作伙伴SanDisk今天表示，东芝位于日本三重县四日市的NAND闪存芯片生产设施曾因地震短暂关闭，但并未受到太大影响，目前已恢复运转。 SanDisk的一名发言人说：“我们损失了一些晶圆，但生产设施已经恢复运转。我们仍在评估地震带来的影响。”...

标签：NAND / SanDisk / 东芝

liukai 发布于 2011-02-21

台湾媒体报道，市场调研公司inSpectrum近日发布了上周存储芯片市场的统计报告。在经历了一月底的稳定表现后，上周DRAM/NAND芯片现货市场平均价格再次开始下降。 inSpectrum称，部分市场交易者认为DRAM制造商日后会因为月底的到来而向现货市场发放更多的芯片，于是他...

标签：DRAM / NAND / 闪存

liukai 发布于 2011-02-14

市场调研公司HIS iSuppli日前发布报告称，随着平板机市场规模的不断扩大，NAND闪存芯片的消耗量正在快速增加，苹果产品在其中“贡献不小”。 报告称，今年的NAND芯片消耗量预计将达到23亿GB（2.3EB），相比去年的4.768亿GB（476.8P...

标签：NAND / 闪存

wanglin 发布于 2011-02-12

根据研究机构IHS iSuppli周五发表的报告指出，鉴于抢购平板电脑的消费者数量与日俱增，预计2011年 NAND 闪存的使用量，将爆发性增长近 5 倍之多。 由平板电脑使用的 NAND 闪存，今年估计需求量将窜升至 23 亿 GB，是去年 4.77 亿 GB 的 3.82 倍...

标签：NAND / 平板电脑 / 芯片

liukai 发布于 2011-02-12

据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称，随着消费者越来越多地使用平板电脑，苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。 iSuppli称，用于制作移动设备中使用的固态硬盘的NAND闪存芯片今年的消费量预计将达到23亿GB，比2010年消费的4768亿G...

标签：NAND / 闪存

liukai 发布于 2011-01-12

DOSTOR存储在线1月12日国际报道：Xiotech将重新包装它的Emprise系列产品，即将推出的混合使用NAND和硬盘的存储刀片机比只使用硬盘的刀片机快5倍。 Xiotech供应3U封装硬盘Intelligent Storage Elements（ISEs），产品中整合了低...

标签：Emprise / ISE / NAND / Xiotech

liukai 发布于 2010-12-30

12月中下旬，国际市场MLC NAND闪存合约价格始终保持平稳，主流的16Gb、32Gb颗粒价格在3 – 3.5美元以及4 – 5美元之间浮动。不过业内人士指出，由于东芝停电事故，以及平板机市场的影响，预计明年一季度闪存价格将出现明显上涨。 本月初，东芝日...

标签：MLC / NAND / 三星 / 东芝 / 美光 / 闪存

wanglin 发布于 2010-12-27

北京时间12月25日，据国外媒体报道，来自市场调查公司inSpectrum的消息称，一股涨价浪潮同时出现在DDR2和NAND闪存现货市场中，起因是存在产品短缺的传闻。 目前，1Gb DDR2的现货价格上升了1%，为1.42美元。另一方面，随着圣诞节和新年的来临，DDR3闪存的现货...

标签：DRAM / NAND / 闪存

liukai 发布于 2010-12-27

台湾媒体报道，存储芯片调研公司inSpectrum今天表示，由于业界出现了DDR2内存和NAND闪存供货吃紧传言，两款芯片现货价格本周双双小幅上涨。 本周有传言称，海力士的DDR2芯片已经被一家内存大厂订购一空，这也使得周中的现货市场出现了短暂DDR2供货不足局面。 截止到今天下...

标签：DDR2 / NAND / nSpectrum / 闪存

liukai 发布于 2010-12-14

DOSTOR存储在线12月14日国际报道：美光表示一些闪存控制器任务将迁移到NAND芯片上，这样控制器制造商就不用做一些他们本不应该做的依赖于芯片的工作。 本来一些底层闪存控制器也进行错误管理，现在这项任务将从现有的NAND控制器中移去。 美光认为如今的NAND控制器同时执行芯片...

标签：NAND / 存储组件 / 硬盘/固态硬盘 / 美光

liukai 发布于 2010-12-10

东芝周四表示，该公司的一家重要芯片工厂因为短时电力故障而停产，并将对NAND闪存芯片产量产生影响。 东芝发言人称，这家位于日本中部地区的工厂将于周五恢复正常，但该工厂明年1月和2月的NAND芯片出货量仍将因此最多减少20%。 由于NAND闪存芯片主要被用于智能手机和平板电脑，而目...

标签：NAND / 东芝

zhabin 发布于 2010-11-30

根据Trendforce研究部门DRAMexchange称，2011年NAND闪存的平均销售价格相比2010年将下降35%，但是庞大的数据增长将导致NAND闪存销售收入增长16%达到215亿美元。 NAND闪存的制造工艺技术将从2010年的4Xnm和3Xnm迁移至2011年的3X...

标签：2011 / NAND / 市场 / 服务器配件 / 闪存

liukai 发布于 2010-11-29

台湾媒体报道，集邦科技发布近日报告称，明年全球闪存芯片销售额将达到215亿美元，同比上涨16%，但是其平均价格将同比下降35%。 集邦科技称，新款智能机、平板机的发布以及春节期间的采购将缓解明年一季度闪存市场受到的季节性销售因素影响。到二季度时，闪存市场的供需就会更加平衡，价格下...

标签：NAND / 闪存 / 集邦科技

wanglin 发布于 2010-11-10

11月10日国际报道 研究机构集邦科技（TrendForce）旗下研究部门DRAMeXchange报告显示，第三季度NAND闪存厂商总营收51亿美元，较第二季度47.6亿美元增长6.9%。尽管厂商采取不同定价战略，但部分厂商采取积极的降价促销措施，刺激内存卡和USB闪存代理商需求...

标签：NAND / 闪存

liukai 发布于 2010-11-02

DOSTOR存储在线11月2日国际报道：英特尔、三星和东芝已经组成联盟，它们将联合开发10纳米级半导体产品，以生产容量更高的DRAM和闪存产品，比如400GB的闪存芯片和速度更快的处理器。 据国外媒体报道，三家厂商打算在不久之后组成联盟，它们将与日本经济部以及另外10家公司一起合...

标签：NAND / 三星 / 东芝 / 英特尔

liukai 发布于 2010-10-08

DOSTOR存储在线10月8日国际报道：EMC在企业级闪存驱动器中使用三星NAND，三星继STEC之后成为EMC闪存驱动器的第一个二级来源。 传统上，像EMC这样的存储阵列厂商喜欢有第二个技术来源，比如磁盘驱动器，不喜欢依赖于单个厂商。因此，它们使用来自日立GST、希捷、东芝或西...

标签：EMC / NAND / STEC / 三星

wanglin 发布于 2010-09-03

9月3日消息，据台湾媒体报道，集邦科技(TRENDFORCE)下属研究部门DRAMeXchange表示，8月下旬NAND Flash闪存的合约均价部分持平，部分下跌1%到7%。 报道称，目前存储卡及优盘客户的库存仍然充足，且零售渠道市场的需求疲软，因此客户的采购意愿较低，并且希望...

标签：Flash / NAND / 闪存

lixuyang 发布于 2010-07-16

根据国外媒体的报道，英特尔与美光科技公司将开始建设新的NAND闪存芯片制造工厂。 2011年初，东芝将在日本建成一个新的闪存工厂，这一项目将于本月启动。三星明年也会有新的韩国工厂上线。闪存工厂会耗费很多资金成本，制造商都不愿意在这方面进行投资，除非他们能看到一定的需求。当制造商调...

标签：NAND / 美光 / 英特尔 / 闪存

lixuyang 发布于 2010-04-12

惠普今天宣布将Memristor技术的开关速度和耐久性进一步提高到等同于目前NAND闪存单元的水平。 Memristor或忆阻器技术据说和电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间，忆阻器的电子状态保持不变–就像闪存记忆体一样。这一点它可以和...

标签：Memristor / NAND / 惠普

lixuyang 发布于 2010-04-02

据韩国《中央日报》报道，世界著名存储芯片企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记忆体)模块，并计划从4月开始生产该产品。 40纳米(10亿分之1米)工艺是指将芯片内部电路的线幅缩小为40纳米。芯片电路线幅越薄，芯片的集成度和生产效率就越高。 三星电子...

标签：40纳米 / NAND / 三星 / 芯片

lixuyang 发布于 2010-03-08

苹果iPad平板机和固态硬盘的普及似乎是八竿子打不着的两码事儿，不过硬盘厂商认为，iPad的出现可能会导致NAND闪存供应紧张，进而影响固态硬盘在PC系统中的应用和推广。 继iPod播放器、iPhone手机之后，苹果iPad平板机今年有机会再次给NAND闪存带来巨大市场。要知道，...

标签：iPad / NAND / SSD / 固态硬盘

lixuyang 发布于 2010-03-03

镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生 产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型 （charge ...

标签：25nm / NAND / 镁光

lixuyang 发布于 2010-02-23

市场研究公司iSuppli近日表示，由于iPhone成为NAND内存的最大使用设备，随着该产品销售的增加，NAND闪存芯片在2010年的某一时期将出现供货紧张。   iSuppli公司内存及储存方面的高级分析师迈克尔·杨(Michael Yang)说：&q...

标签：iPhone / NAND

lixuyang 发布于 2010-02-11

继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。 海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第...

标签：NAND / 三星 / 海力士

lixuyang 发布于 2010-01-04

据台湾媒体报道：NAND闪存今年主流制程将转进40纳米以下世代，新制程NAND芯片读写速度均大幅提高1倍到1Gbps以上，包括三星、东芝、英特尔等企业，将在今年美国消费性电子展（CES）中宣示跨入USB 3.0世代。 受惠NAND业者的全力支持，USB 3.0成为今年CES展当红...

标签：NAND