站在2023年，快速回顾闪存发展历程
朱 朋博 发布于 2023-07-04
闪存的发展史可以追溯到1967年，当贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze共同发明了浮栅MOSFET，这是所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。 1967年，贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOS...
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标签：EEPROM
4Gbit闪存EEPROM 瑞萨、三星竞逐最小
多易 发布于 2003-12-12
日立制作所和日本瑞萨科技面向闪存EEPROM，日前共同开发出了面积业界最小的内存单元。并在2003年12月8日于美国召开的“IEDM 2003”国际半导体制造技术会议上公布了技术详情。使用90nm最小加工尺寸时内存单元仅为0.016...