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三星第十代3D NAND将突破400层,速度提升75%

近日,根据2025 IEEE国际固态电路会议议程透露的信息,三星正开发其第十代V-NAND技术,突破了400层的技术瓶颈,三星目前的第九代3D NAND技术已达到286层。 400层以上的新技术细节 存储密度:新一代NAND芯片的密度为28...

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IBM 开发光电共封装工艺,可大幅提高数据中心能效-DOIT-数据产业媒体与服务平台

IBM 开发光电共封装工艺,可大幅提高数据中心能效

新的光电共封装技术或取代数据中心中的电互连装置,大幅提高AI 和其他计算应用的速度与能效 北京, 2024年12月12日消息:近日,IBM发布了其在光学技术方面的突破性研究成果,有望显著提高数据中心训练和运行生成式 AI 模型的效率。 IB...

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