惠普的科学家已经在下一代存储技术，即“记忆电阻”方面取得小的突破。记忆电阻未来将可以取代当前普遍使用的闪存和DRAM技术。
在发表于《纳米技术》杂志的一篇论文中，惠普的科学家报告称，他们已经了解记忆电阻在加电操作时的基本化学和结构变化。此前，尽管研究人员已经在实验室中开发出了记忆电阻样品，但科学家对于记忆电阻工作时的内部结构变化并不是完全清楚。
惠普高级研究员斯坦·威廉姆斯（Stan Williams）表示，由于惠普正计划将记忆电阻技术商用，因此这一发现将帮助惠普更好地改善记忆电阻的性能。他表示：“这一发现增强了我们的信心，并使我们可以大幅改善这一技术。”
记忆电阻技术是1971年加州大学伯克利分校的一名教授提出的。在此之前，科学家只知道3中基本的电路单元，即电阻、电容和电感。几十年后，惠普的科学家证明，记忆电阻是存在的，而电阻值可以在2个或多个值之间变化，这使得记忆电阻能够表示出计算机中的0和1。
威廉姆斯预计，惠普的记忆电阻技术将于2013年中期商用，不过惠普不会对此做出官方承诺。惠普目前已经在实验室中制成了样品，存储密度达到每平方厘米12GB。这一样品采用15纳米工艺，并采用了多层设计。
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