惠普提升Memristor技术性能对抗NAND

惠普今天宣布将Memristor技术的开关速度和耐久性进一步提高到等同于目前NAND闪存单元的水平。

Memristor或忆阻器技术据说和电阻器、电容和电感器一样也是一个基本的电路元件。在设备开启和关闭之间，忆阻器的电子状态保持不变–就像闪存记忆体一样。这一点它可以和相变记忆体（PCM）竞争。一旦NAND闪存的制程缩小空间耗尽，NAND将无法可靠工作，因此这时候需要新的技术。

惠普在2008年实施了第一个Memristor设备，并表示可能将在2009年推出工作原型机。从那以后，惠普声称已经发现一种方法来构建三维Memristor设备，在每一个设备上堆垒二维交换阵列，就像芯片塔一样，从而构建相对大容量的设备。

纽约时报预计惠普将披露该公司已经将Memristor开关速度和耐久性提高到和目前NAND闪存单元同样的水平。惠普认为可以做得更好，甚至可以将制程减少到小于闪存的程度。惠普正在开发可以在一纳秒时间内开关的3纳米Memristor。现在最先进的闪存正在向25纳米制程前进。下一步应该是在20到24纳米区间范围内，有可能再往后可以达到15到19纳米。再往后，随着制程的缩小，可能不得不牺牲闪存的运作可靠性，因此预计问题将越来越多。

不过，闪存密度可以通过增加多层单元（MLC）上的单元数量来增加。两比特闪存现在已经很常见，三比特即将到来，而且SanDisk已经有四比特MLC的专利。但是闪存写入性能和耐久性随着单位比特数的增加而降低，而闪存控制器必须克服这个障碍才能使3X和4X MLC闪存实用化。

惠普认为它可以设计出一个可以与闪存竞争的Memristor设备，在2013年前将密度提高达到20GB/平方英寸，达到闪存的两倍。惠普认为Memristor技术也比PCM好。PCM需要将单元予以加热才能改变它们的物理状态–需要更多电能–而且开关速度更低。

如果惠普是对的，它实际上可以以令人可接受的价格大量生产大容量Memristor，然后它可以打击Numonyx、三星、东芝和SanDisk在刀片上的闪存业务和PCM业务，通过收取许可费赚取大量利润。

惠普的科学家同时还表示人脑的运作和Memristor类似，因此惠普可以利用Memristor构建一个可以学习和进行人类活动的"大脑"。这可厉害–人脑的运作可是连此前最先进的技术都无法单独解释的。

不过，到目前为止，创造一个人脑还是要需要人类自己完成。

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