传三星准备量产第八代V-NAND 闪存

据韩国商业报道称，三星正在准备开始批量生产236层的3D NAND，迎战美光和SK 海力士的232层和238层3D TLC NAND设备。

2021年年中，三星生产了首批200层+的V-NAND闪存样品，因此，其现在应该有足够的技术经验来启动此类设备的量产。目前容量未知，但其目标之一是更快的接口速度，还有就是增加程序块大小并降低读取延迟，从而优化大容量3D NAND设备的性能。

已知，三星的V7-NAND接口速度达到2.0 GT/s，相对而言，V8-NAND的接口速度应该会更高。

虽然增加NAND层数有时被认为是闪存扩展容量的一种简单方式，但事实并非如此。层数增加意味着制程复杂性和处理时间依次增加，裸片良率可能大大下降继而导致产量下降，每TB NAND成本增加。

128层单层蚀刻时间约是96层蚀刻时间的2倍。想象一下自己的机器用之前两倍的时间制造晶圆，通过增加层数让每个裸片容量增加约30％，实际发售容量增没增加都是问题。

因此，3D NAND制造商都在采用字符串堆叠技术来构建具有数百层的3D NAND。三星尚未在其176 层 V7-NAND 中采用字符串堆叠，但该技术是否会用于236层V8-NAND尚未可知。

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