力争年底投产，合肥沛顿存储一期项目封顶

6月26日，合肥沛顿存储科技有限公司一期项目正式封顶。

此前的资料显示，合肥沛顿是深科技全资子公司沛顿科技与国家大基金二期、合肥产投、中电聚芯于2020年10月共同投资建设的集成电路先进封测和模组制造项目，总投资金额100亿元，主要为国内自主存储半导体龙头提供封装和测试业务。

其中，沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资17.10亿元、9.50亿元、3亿元和1亿元，并各持有沛顿存储55.88%、31.05%、9.8%和3.27%股权。

深科技官微介绍，合肥沛顿存储项目占地面积约178亩，一次性规划，分期建设，于2021年3月启动建设，按照建设规划，项目将于今年9月底完成全部建设任务，10月初进驻生产设备，力争于今年年底实现投产并形成有效产能。

项目达产后，预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗，年封装NAND FLASH 3840万颗，年产内存模组3000万条的生产能力，预计可实现年营收28亿元左右。

根据深科技此前公告，该项目非公开发行募资，共24名投资者参与询价申购，累计认购量21.08亿元，认购倍数达1.43倍。受发行股数总量限制，最终17名投资者成功“抢筹”，募集资金总额14.74亿元。

深科技董事长周剑表示，本项目建成后，将极大完善我国存储器产业链，对国际巨头形成有力的竞争，打破我国存储器领域对进口产品的依赖。本项目将围绕国家战略需要，积极承接国家存储器战略项目的封装测试业务，推动我国存储器产业重点突破和整体提升，实现跨越发展，为经济发展方式转变、综合国力提升提供有力支撑。（全球半导体观察整理）

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