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海力士40nm级2Gb DDR3获Intel认证

海力士公司日前宣布,其使用40nm工艺制造的2Gb容量DDR3 DRAM颗粒和相关内存条产品已经获得了Intel认证。

此次或认证的产品包括2Gb DDR3 SDRAM颗粒,4GB DDR3 SODIMM笔记本内存条和2GB DDR3 UDIMM普通台式机内存,运行频率1333MHz,电压1.5V。

这一系列的40nm工艺产品可实现最高1867MHz 16bit I/O的传输速度,带宽3.7GB/s。相比上代50nm产品,新的40nm工艺可将生产效率提高60%,同时能耗降低40%。

目前,海力士的40nm工艺2Gb DDR3颗粒已经开始量产,公司预计使用该颗粒的RDIMM服务器内存条在今年年内也能够获得Intel认证。

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