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SK海力士加入176层NAND战局

任何美光能做的事,SK海力士都认为自己能做的更好。近期SK海力士宣布了自己的176层3D NAND技术,最近几周向SSD控制器公司发送了512Gb TLC(每单元3比特)芯片样品。

上个月,美光开始批量生产176层 NAND,因此比SK海力士和三星有几个月的优势。后者表示将在明年第二季度发售176层 NAND。

SK海力士表示将在明年年中之前为移动产品发售176层SSD,与128层产品相比,其最大读取速度将提高70%,最大写入速度提高35%。

消费类和企业级SSD将在2021年晚些时候面世。SK海力士也将使用176层技术开发1Tb芯片。 有业内人士认为可能会采用QLC(每单元存储4比特位)技术来获得33%的容量增长,其余部分来自176层中每层的更多单元。

SK海力士 NAND开发负责人Jung Dal Choi发表声明,NAND闪存行业正在努力改进技术来同时实现高集成度和最高生产率。SK海力士将以业界最高的生产率和技术引领NAND闪存市场。

为了证明这一点,SK海力士增强了其176层产品的性能和技术优势。例如,该公司声称:

与SK海力士的128层技术相比,比特生产率提高了35%。

通过采用2分区单元阵列选择技术,单元读取速度比128层NAND提高了20%。

数据传输速度也提高了33%,达到1.6Gb/s。

SK海力士说的“ 4D NAND”指的是为单元堆叠底层的裸片放置外围CMOS逻辑电路,和美光一样。这有助于减少芯片所占的面积,SK海力士将其称为单元下的外围电路(Peripheral circuits Under Cell,PUC)。

SK海力士176层裸片

SK海力士的176层技术是基于电荷捕获单元(如美光),而且单元堆栈实际上是基于双层字符串堆叠(2*96),与美光的176层产品类似。

2分区单元阵列选择技术涉及在逻辑上将一个单元分为两部分,以加快读取速度。减半意味着单元具有较低的电阻,缩短了施加感应电压所需的时间,从而提高了读取速度。

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