IBM等三家公司科学家称相变存储取得重大突破

    存储在线 12月12日消息：据国外媒体最新报道，IBM、宏旺和奇梦达的科学家们已经宣布，三家公司的研究小组已经在计算机存储技术上取得了重大突破，这将能够帮助开发更加先进、更加可靠的MP3播放器、数码相机以及其它电子产品。 
  
    来自IBM、宏旺和奇梦达的科学家们表示，他们已经研究出一种能够制造“相变”存储器的材料，“相变”存储器的存储速度要比现在广泛使用的闪存存储器高出500-1000倍，同时耗电量仅为闪存存储器的一半左右。 
  
    IBM负责纳米科学高级经理斯佩克?纳拉亚恩（Narayan）表示：“这种‘相变’存储器能够让你做很多事情，而闪存则无法提供的这些功能。你能够使用这种存储器取代硬盘，能够制造高速电脑，或者能够在这种存储器中存放你喜欢的电脑软件。”斯佩克?纳拉亚恩透露，三星和英特尔目前都已经参加到了相变存储技术的研究开发工作。 
  
    相变存储技术是一种采用了特殊材料作为存储介质的存储新工艺，该工艺一改通常靠改变电相位实现存储目的，而是通过改变存储材料的内部结构达到存储目的，其潜在性能优于普通的闪存工艺，所优点包括：提供了更快的读写速度，具有反复使用功能，以及向单个存储地址写入的能力。尤其是相变存储技术内在的灵活性优于目前正在应用中的其它任何非易失性存储器技术，决定了该技术具有很强的前瞻性。尽管当前该技术处于前期开发阶段，但其所具备的多种优势决定该工艺前景光明。 
  
    旺宏电子资深副总裁卢志远表示，相变存储技术在非挥发性存储的市场中，虽较其它技术具有更佳的微缩效果，但是始终无法证明其微缩的极限，这次旺宏与IBM、奇梦达等研究团队在试产中证实，仅需要小于100微安（uA，1安=100万微安）的电流，即可在厚度3纳米、宽20纳米的GeSb组件上迅速完成相变化，这项研发成果对目前国际半导体技术蓝图未来十年后才会进入2纳米的预测，提供了可行性的重要例证，具相当的影响性。 
  
    尽管相变存储技术虽然仍处于研发阶段，但因具备高速度、高储存密度、非挥发性等特性，所以被视为兼具闪存及DRAM功能的全面性存储。目前全球主要存储厂均对相变存储技术有所著墨，除了旺宏与IBM、奇梦达等合作PCM研发外，台湾其他DRAM厂力晶、南亚科、茂德、华邦等，也与当地相关部门共同出资投入相变存储技术的研发。 
  
    分析人士指出，如果该技术得以完美利用，其可以在多种设备上实现应用，包括从电脑服务器到各种消费类电子产品上。

未经允许不得转载：DOIT » IBM等三家公司科学家称相变存储取得重大突破