FMS见证闪存密度新高度：三星2U1PB，英特尔1U1PB-DOIT

一年一度的闪存大会已经开始了，各种新产品都憋在这几天一窝蜂的亮相了。3D NAND，V-NAND，NVMe，NVMe over Fabric，NGFF，NGSFF，ruler，各种眼花缭乱的名词，形态各异的产品着实闪亮，我们来扫一眼三星，英特尔，巨头们都发布了哪些闪存产品。

三星全新高密度硬盘放进2U机架能达PB

三星在闪存峰会上介绍了将在明年推出的高密度闪存颗粒产品，如今三星的V-NAND技术进化到了第五代了，进入QLC的时代，每个die的容量为128GB（1Tb），单个V-NAND封装容量能达到2TB。同时还介绍了一种新的硬盘形态，NGSFF（注意不是NGFF），替代之前的标准M.2产品。

落到产品层面三星推出了16TB的NGSFF固态盘。基于这样的硬盘，1U的机架放36块16TB NGSFF能达到576TB，2U的话能到PB。

英特尔1U机架服务器就够1PB

英特尔发布了一款叫做ruler的产品，开拓出一种新的form factor，这是有多讨厌原来的2.5寸，3.5寸小盒子，如今各种奇形怪状SSD产品真是层出不穷啊。不过，英特尔的这个东西是为机架服务器设计的，把它放进服务器里面，一台1U的机架服务器存储空间能达到1PB。以前的服务器要想有1PB空间，那么需要在4U的机架服务器中插满10TB硬盘，密度提升的不止一点半点。

另外，英特尔已经向部分客户提供了dual-port 傲腾固态盘了，这种盘主要应用于关键业务领域，值得一提的是E8的NVMe over Fabric全闪存阵列就是基于英特尔的dual-port傲腾做的。

东芝打破SAS固态盘的记录

东芝的新品大都用上了3D NAND，东芝的PM5系列12Gbit/s SAS SSD用了一种黑科技（four-port multilink），速度接近PCIe。值得注意的是PM5系列从400GB起步，最多能有30.72TB。性能方面，2.5寸盘随机读IOPS能达到40万，顺序读写性能能达到3.35/3.72，打破了SAS盘的新纪录。