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集邦:九月DRAM价格续涨逾7%,第四季合约价格预计将大幅上涨

全球市场研究机构TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示,在原厂产出比重持续调整和标准型内存供货持续吃紧下,九月合约价依然维持强劲上涨的价格走势,均价已来到14.5美元,涨幅较上月达7.4%;而现货颗粒价格方面涨幅更为剧烈,如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元,较上月同期比较已上涨19%与15%,显见市场呈现供不应求的态势持续扩大。

从市场面来观察,无论是智能手机或是笔电,第三季正处于备货高峰,再加上行动式内存产出扩大至整体产出的四成以上,排挤效应下,目前标准型内存产出仅剩不到两成,追价与追量的情形在第三季逐渐蔓延,并带动今年第四季还有一波更高的涨幅。

第四季合约价格预计大幅上涨近三成,来到近两年来的新高点

在原厂标准型内存已经呈现供货吃紧的情形下,即使尚未进入第四季,PC-OEM已经在九月份积极议定第四季度的价格,展开抢货大作战。

根据DRAMeXchange的调查,第四季的合约价大战提前开打,主因于标准型内存产能转进行动式内存和服务器内存过快,加上部分厂商20/21nm良率提升不如预期,可能无法满足原先计划的需求。

此举不光引起PC-OEM的恐慌而加量抢货,更亟欲提高现有的库存水位来稳定自身DRAM的需求。再者,传统销售旺季即将来临,新笔电的配置搭载8GB内存的机种也在迅速攀升中,该趋势尤其以商务机种更为明显。

由于第四季需求大增超过DRAM原厂原先的预估,使得标准型内存供需失衡雪上加霜,虽然目前第四季的合约价尚未敲定,但目前预估的价格涨幅直逼约三成,创下近两年来的新高点。

此波的抢货作战,亦产生连锁效应,如服务器内存也呈现上涨的趋势,近期约有10%的上涨,行动式内存方面,在NAND产品同时缺货下,第四季eMCP产品至少有10-15%的涨幅。

内存供货恐出现短缺,不利于中国手机厂商获取关键零组件

受上述供需失衡以及制程良率提升不如预期的影响,未来一段时间全球内存供货恐有短缺之虞,不利于智能手机厂商取得关键零组件,这对目前风头正劲的中国手机厂商华为、OPPO、vivo、小米来说殊为不利。

此外,DRAMeXchange指出,由于明年DRAM原厂并不想增加资本支出来扩大产能,2017年供给位元年成长将是近八年来最低,年成长仅为20%。对于DRAM厂来说,获利导向相当明显,未来全球内存产业也将维持相当可观的景气度。

中国DRAM厂应加快发展进度 实现进口替代

由于存储器等关键零组件属于战略性物资,是现代科技产业的核心,也是支撑经济社会发展和保障国家安全的基础性和先导性产业,后续的供不应求恐将掣肘中国智能手机、笔电等产业的发展。

鉴于此,中国存储器制造厂商应该加快发展进度,尽早解决战略性芯片受制于人的窘境。

DRAMeXchange 认为,从发展规划和进度来看,福建晋华作为目前中国唯一一座存储器厂,其进展最快,最有希望快速实现量产,应该加快布局,尽早实现存储器等关键战略性零组件的进口替代。

 

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