武汉新芯陈少民：3D NAND是中国半导体产业弯道超车的机遇

6月30日，中国闪存峰会在北京举行 。

武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生在参与“大存储产业和中国力量”对话中表示，武汉新芯选择3D NAND，是中国半导体产业弯道超车的机遇。

武汉新芯执行副总裁、商务长陈少民先生。

陈少民先生指出，大存储是一个比较有中国特色的词，它首先代表中国有巨大的市场规模。我们可以看到过去各国的发展史，每一个在高科技领域强大且具有主导性的国家，都是从满足市场需求开始的。半导体产业中市场份额最大的是存储，全球市场超过800亿美元，而且全球最大的存储市场在中国。

“市场规模影响到产业甚至是标准的制定，中国今天已经具备这样的条件。”陈少民先生说。

从产业的渐进来看，从早期的PC时代进入到互联网时代，从互联网时代进入工业4.0，智能化、信息化社会，存储无处不在，而且对存储的需求越来越大。工业上从ERP, MES到CIM系统，整个工厂从备料、下单、生产、物流、一直到销售端，客户拿到了产品，所有的信息都可以放在网上。

除此之外，生活当中的每一个动作都可以被记录，日本现在利用大数据在记录桥梁，每一辆车经过带来的震动以及重量，把这些数据上传到云上面，经过计算预测这个桥梁的寿命。

我们今天使用滴滴打车，用微信支付，这些数据都保存在云上。而且新的APP，很多是基于图片和视频，这造成了网络上的大量数据存储和交换。数据搜寻的速度太慢，以及资料搜索的数据太大都会造成资料流通的大障碍。此外在移动端，今年年底各位的手机上可能会实现新的突破，即双摄像头的普及。双摄像头能产生3D图像，这会产生大量的数据，这对移动存储也提出了新的要求。

所以,从长远来看，无论是移动物联网，云计算，或者是工业4.0，我们发现一个特色，现在的云计算和智能移动终端都产生了海量的数据，现在已经是实实在在的大数据和云计算的移动互联时代了。

存储产业正在发生剧烈的变化，这个剧烈的变化一大推动力来自于存储介质的变化。今天看到2DNAND是主流，未来3D NAND将流行。

“大存储产业和中国力量”对话现场。

陈少民先生认为，闪存是目前为止的一种存储的解决方案而已，将来可能有更新的介质。虽然我们现在做3DNAND，但是我们更加关注将来的可能，因为我们不愿意被淘汰，一直在怀着谦卑的心来看这件事情。

从产业链的角度来看，过去半导体或者电子行业的兼并整合，专业分工的界限越来越模糊，早期的时候三星只做自己该做的事情，生产闪存颗粒，卖给下游的模组和系统厂商。2007年，当我们讨论后来加入的人是不是应该从系统端着手（因为它的毛利比较高），事实上，当我们还没有着手的时候，竞争对手已经在做了。现在三星70%-80%闪存，都是以模组和系统的形式出现。三星这样的公司自己生产手机、电脑等各种终端产品，如果打开三星手机，从触控屏到主芯片，以及存储eMMC，从头到尾都是三星自己生产。

对我们而言，机会是什么？我们是后发，在工艺开发，芯片设计，模组的设计与生产，以及渠道、产业链的布局等方面没有优势，但是在某些方面是有优势的。发展中国的大存储产业，我们一定要把整个产业链乃至生态体系建立好，建立完善，希望大家一起来帮我们，这样才有能力去在全球市场上竞争。这是个挑战，那么对大家来说在中国建立新的存储产业链和生态系统，也是一个机会。

一个后来者要新进入到市场的时候，从经营者的角度来说，技术是可以追赶的。但既存竞争对手，凭借先入优势，他们在通用机台上的成本已经摊销完了，反映在每一片芯片上的成本较低，从这一点来看，我们是没有办法跟它们竞争的。所以，如果我们跟着做2D NAND，研发以及机台上面的摊销是比不过它们的。

从应用看到闪存的需求一直很大，而且市场一直在高速增长中，每年增长8-10个百分点，这个势头会往下走5-7年的时间，甚至是更长。与此同时，我们发现2D NAND 越往先进的工艺节点走，器件的物理规律决定了，它的可靠性变的非常差。2D NAND现在基本上快走到了尽头，它必须得找新的方案。3D NAND二维往三维堆叠成了目前最好的方案。现在我们从3D NAND开始，大家同时处在一个差距不太大的起跑线上，我们可能还有5年的时间，只要产品开发做完，是有机会竞争的。

市场大，技术在换代，相似的起点，这是武汉新芯选择3D NAND的考量，

这也是中国半导体产业弯道超车的机会。

（根据录音整理）

未经允许不得转载：DOIT » 武汉新芯陈少民：3D NAND是中国半导体产业弯道超车的机遇