数百Gbit/英寸2全息内存2005年上市

    NTT将于2005年推出使用薄膜全息技术制造的内存。该公司首先开发出了SD存储卡大小、可存储1GB数据的ROM介质和专用驱动器。目前，该公司正向唱片业界等倡议采用上述产品。

    薄膜全息内存是在厚度仅为10μm的塑料薄膜上绘制2维图形，并通过光照射在该图形上得到的反射光图像（再现图像）再现数据的技术。与绘制3维图形的立体全息技术相比，具有光源的波长变化及塑料材料的变形能力较强的特点。虽然该技术存在存储密度较低的缺点，但可以通过将数百枚薄膜重叠增加容量。从原理上讲，可以实现数百Gbit/英寸2以上的存储密度。

    此次开发的存储介质为将100张25mm×25mm、厚10μm的透明塑料薄膜重叠在一起的产品。从侧面使用波长为680nm的激光作为参照光进行照射，可以得到再现图像。各个薄膜之间会从面方向嵌入光波导通路，通过其中的激光不会泄漏到外部。因此，如果使激光对任意1张薄膜有选择地照射，射入光不会泄漏到上下两侧的其它薄膜中。如此便可得到没有薄膜之间相互干扰的再现图像。

    另外，该公司还采用了通过1张薄膜绘制的图形可以得到多个再现图像的技术。用激光照射薄膜时，可根据情况得到不同的再现图像。因此可以通过使用液晶的光学薄膜从多个再现图像中选择其一。

    存储图形首先按照原图进行绘制，并将它誊写在塑料薄膜上。将需要存储的数据转换为图形的算法采用了该公司独有技术。这种算法可加大构成图形的线的间隔。试制产品的间隔达到数百nm。这样在实现高密度化时，缩小图形的作业便不易成为瓶颈。

    此次开发的存储介质在1张薄膜上实现了1.7Gbit/英寸2的存储密度。此次将100张薄膜重叠在一起，从技术角度讲，层叠几百张薄膜没有问题，能够实现数百G～1Tbit/英寸2的高密度化。目前的数据传送速度为1.5Mbit/秒。存储介质的价格为100～200日元（约合人民币7.7～15.4元）。

    今后，该公司的目标是实现可擦写内存技术的实用化。目前该公司正在同时开发在介质中使用新材料、可以多次擦写的方式和使用普通材料、实现1次擦写的方式。

未经允许不得转载：DOIT » 数百Gbit/英寸2全息内存2005年上市