该产品的4GByte寄存器模块将被封装到重叠两个芯片的层叠（Stack）FBGA封装中。另外还将提供采用层叠方式TSOP封装的4GByte寄存器DIMM。
存贮器结构提供了×4bit、×8bit以及×16bit等3种。可以覆盖DDR266（时钟频率：133MHz）到DDR400（工作频率：200MHz）。该产品将用于高性能服务器和工作站市场。公司计划从2003年第4季度开始发货工业样品，并且从2004年初开始进行批量生产。
本文来源于DOIT传媒，文章内容仅供参考，不构成投资建议。
德国Infineon Technologies AG开始向特定的顾客发货1千兆级DDR（Double Data Rate）型静态DRAM的工业样品。该公司将采用设计工艺为110nm的CMOS工艺技术生产。芯片面积为160mm2，截止2003年8月26日为止，该产品在1千兆级DDR型SDRAM中为业内芯片面积最小的产品。
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