SanDisk：宣布增加闪存产量

    　　美国当地时间12月17日，SanDisk宣布了增加闪存产量的计划。按计划，SanDisk将通过增加与东芝共同成立的半导体生产公司Flash Vision的生产能力，以满足今后可能增加的需求。

    　　Flash Vision是由SanDisk公司和东芝各出资50％于2000年5月设立的合资企业。设立当初的公司名称为美国Flash Vision LLC。该公司位于弗吉尼亚州的东芝半导体生产基地Dominion semiconductor的工厂内，一直生产160nm工艺的NAND闪存。2002年4月转移到了位于三重县四日市市的东芝工厂内，将公司名称改为了Flash Vision。目前，在四日市的工厂正在推进将生产工艺缩小到130nm的过渡作业。“通过采取新工艺，能够大幅度增加闪存的供应量，并有效满足需求的增加”（SanDisk）。

    　　但是，SanDisk预测，“由于今后几年间对本公司产品的需求将不断增加，即使使用目前能够使用的所有资源也会供不应求”。因此，该公司认为必须增加90nm工艺的NAND闪存生产量。为此，SanDisk和东芝制定了在2003年及2004年扩展Flash Vision的NAND闪存生产线，增加基于200mm晶圆的生产计划。

    　　SanDisk认为，“到了2005年或2006年以后，即使扩展四日市工厂也无法满足对200mm晶圆NAND闪存的需求”。为了应对这一情况，SanDisk和东芝正在研究从2006年开始采用300mm晶圆的生产。“预计可以在2003年与东芝就具体的计划达成一致”（SanDisk）。

    　　除增加Flash Vision设备的计划之外，SanDisk还宣布，将增加闪存方面的客户。其内容如下：“目前，SanDisk主要从Flash Vision采购闪存用晶圆。今后，将与其签定长期供应合同，同时还将从日立制作所和韩国三星采购闪存”（SanDisk）。 　　

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