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标签:闪存 第20页

苹果效应再现 NAND闪存价格开始上涨

一度平静的闪存价格市场随着苹果MacBook Air新本的发布再次掀起波澜,存储芯片调研公司inSpectrum近日表示,配备高容量固态硬盘的苹果新本将刺激闪存市场,小幅度的需求上升已经出现,闪存价格也开始上升。不过inSpectrum同时...

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Pliant今日正式推出企业级闪存硬盘产品

DOSTOR存储在线9月9日国际报道:主流企业级存储MLC闪存又有新品,今天Pliant推出其企业级闪存硬盘(EFD)产品。 Pliant在这个竞争激烈的行业中处于前列,专注于开发支持固态硬盘(SSD)的STEC,希望使硬盘驱动器替代存储阵...

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8月下旬NAND Flash闪存合约均价下跌1%到7%

9月3日消息,据台湾媒体报道,集邦科技(TRENDFORCE)下属研究部门DRAMeXchange表示,8月下旬NAND Flash闪存的合约均价部分持平,部分下跌1%到7%。 报道称,目前存储卡及优盘客户的库存仍然充足,且零售渠道市场的需...

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闪存需求增长 英特尔与美光筹建新闪存工厂

根据国外媒体的报道,英特尔与美光科技公司将开始建设新的NAND闪存芯片制造工厂。 2011年初,东芝将在日本建成一个新的闪存工厂,这一项目将于本月启动。三星明年也会有新的韩国工厂上线。闪存工厂会耗费很多资金成本,制造商都不愿意在这方面进行投...

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东芝20nm级NAND闪存新厂Fab 5开工建设

东芝公司今天宣布,位于日本三重县四日市的东芝NAND闪存晶圆厂新厂房Fab 5已经正式开工建设,预计2011年春竣工。东芝同时还宣布,与SandiDisk公司达成初步协议,将成立一个新的合资企业,专门运作Fab 5工厂。 由于新兴市场如智能...

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TIMC组建联盟布局存储闪存技术 多厂商参与

据台湾媒体报道,台湾创新内存公司(TIMC)将联合茂德、晶豪科、翔准等公司,布局自有储存型闪存(NAND Flash)技术,而政府层面将给予40%的研发补贴。 此前TIMC规划以日本厂商尔必达为技术合作伙伴进行DRAM产业再造,此番调整该从...

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Intel美光25nm新工艺NAND闪存量产出货

Intel与美光的合资企业Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示,采用25nm新工艺的NAND闪存芯片已经开始批量出货,相信不久后我们就能够看到采用该颗粒的固态硬盘、U盘、存储卡等产品。 Inte...

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三星宣布30nm级工艺8Gb OneNAND闪存

三星电子宣布,已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术,在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲,融合了NAND闪存的高存储...

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NextIO与Fusion-io将合作生产5TB闪存SAN产品

NextIO与Fusion-io达成一项关于合作生产5TB闪存SAN产品的协议,双方合作生产的闪存SAN可以让连网服务器共享闪存存储设备。 NextIO最初是一家交换机厂商,它的交换机产品主要用来虚拟化PCIe连接,通过单一开关PCIe产品...

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LSI通过1TB闪存达到百万次IOPS性能水平

LSI通过1TB希捷闪存取得100万次IOPS(每秒输入输出)性能,表明用户可以用更少的闪存获得更高的性能。 2008年9月,Fusion-io和IBM在IBM的Quicksilver项目上达到100万次IOPS的性能。该项目使用了41个i...

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