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标签:闪存芯片

业界

【0412今日热点】我国科学家开创第三类存储技术,写入速度比U盘快1万倍;布局区块链,百度原创图片服务平台“图腾”上线;我国首批32层三维NAND闪存芯片将于年内量产

张 妮娜 发布于 2018-04-12

第三类存储技术写入速度比目前U盘快1万倍 国际半导体电荷存储技术中,“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院获悉,该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件,开创了第三类存储技术,不仅可以实现“内存级”的数据读写速...

智能计算

产量增加,2018年全球闪存芯片价格企稳

张 妮娜 发布于 2018-02-08

由于市场对数据中心和物联网设备芯片需求的不断增加,科技企业在半导体领域的支出在2017年上涨了17%,但对买家而言,今年的火爆市场很可能要降降温了。 在新一轮的IoT部署和人工智能等技术的发展推动下,芯片市场支出可能会在2018年进一步增加。不过,IHS Inc.旗下的行业分析师...

智能计算

镁光推出全新的25nm 闪存芯片ClearNAND

liukai 发布于 2010-12-06

DOSTOR存储在线12月6日国际报道:在整整进入NAND闪存市场一年后,镁光于12月2日推出了一款强大且封装性极好的25nm多层单元处理器,这款产品可以使镁光在目前的闪存市场处于有利的位置。 镁光称这款产品为ClearNAND,该产品分为标准版和增强版。标准版存储容量为8GB和...

智能计算

英特尔和美光开始量产34纳米闪存芯片

lixuyang 发布于 2008-11-26

英特尔和其合作伙伴美光(Micron)周一表示,他们已开始大规模量产采用34纳米技术的NAND闪存芯片。 工艺制程的改进意味着制造商可以缩小晶片组件,这样就可以在同样的大小下获得更多的容量。最新的产品每个核心的容量为4GB,在一层上有8个核心,两层堆叠在一个封装内,总容量为64G...