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标签:hdd 第7页

日本开发磁阻比140%阻值0.4Ωμm2硬盘TMR元件

    存储在线 5月12日消息:日本产业技术综合研究所(产综研)与日本佳能Anelva公司开发成功了可支持记录密度为500Gbit/平方英寸的硬盘磁头用TMR元件。由于使用现有的溅镀设备开发,所以向硬盘厂商移...

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日本称研制出能大幅提高硬盘存储密度的新技术

    新华社东京5月10日电(记者钱铮)日本产业技术综合研究所和佳能公司最近研制出一种新型硬盘磁头,可把硬盘的存储密度提高到现有水平的4倍以上,采用这一技术可使手机等便携产品中的小型硬盘也能存储高清晰图像。 ...

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