标签：VLSI

多易 发布于 2008-06-18

英特尔公司于6月17日至20日在夏威夷檀香山举行的2008 年VLSI 电路技术会议上展示5篇重要技术论文。摘要如下： 6月18日展示论文： 论文9.4：在硅薄膜和BOX（隐埋氧化物）薄膜上采用高k栅介质 + 金属栅极工艺制造的可扩展浮体单元存储器，适用于15纳米及更精细制程下的...

标签：Nehalem / VLSI / 英特尔 / 高k栅介质