三星宣布30nm级工艺8Gb OneNAND闪存
lixuyang 发布于 2010-05-07
三星电子宣布，已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术，在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲，融合了NAND闪存的高存储容量和 NOR闪存的快速读取，主要面向消...
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lixuyang 发布于 2010-05-07
三星电子宣布，已经成功使用30nm级别工艺(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式闪存芯片。OneNAND 是一种高可靠性嵌入式存储技术，在一颗芯片内集成了NAND内核、NOR接口、SRAM缓冲，融合了NAND闪存的高存储容量和 NOR闪存的快速读取，主要面向消...