标签：2025全球闪存峰会

自1967年浮栅MOSFET发明以来，闪存技术就开启了颠覆传统存储介质的征途。历经五十余年，从EPROM、EEPROM到2D NAND，再到现今主流的3D NAND、QLC、CXL、HBM等新兴存储技术，闪存市场几度更迭、企业浮沉，构筑起庞...

崔 欢欢2025-04-24先进存力