除了寻找新材料外，在芯片结构上，3D芯片也是各自芯片开发者的研究一个方向。例如美光公司Hybrid Memory Cube(HMC)项目、3D内存芯片HMC等等。

Hybrid Memory Cube(HMC)，混合立方内存芯片，由美光公司提出，这种混合立体内存与CPU的数据传输速度将是现阶段内存技术的10倍以上，以便适应高速发展的处理器和宽带网络。

下一代高性能电脑以及网络设备对于内存带宽的要求越来越高，而随着当前晶体管密度的不断接近物理极限，简单的通过增加晶体管密度提升性能已经十分困难，因此只有通过架构上的改变才能满足新的要求，这才催生了混合立方内存芯片的研究。

HMC是通过一个TSV(through-silicon-via硅通道)连接层将内存核心连接在一起，达到高速读取数据的效果。

Hybrid Memory Cube

HMC的基本理念是将芯片层层叠起，和传统上将一个系统中的半导体联系在一起的做法相比，新方法将用到更多且速度更快的数据通路。支持者认为，将芯片堆叠起来的做法除了节省空间，还能达到类似于立体电路块的效果。

按照三星和美光的设想，HMC的性能相比于目前普遍应用的DDR3标准内存将有15倍的提升。

再如3D晶体管技术FinFET，英特尔以及IBM等都对其有着开发研究。传统标准的晶体管—场效晶体管 (Field-effecttransistor;FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而 FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。

IBM与英特尔FinFET晶体管对比

对比IBM FinFET双门晶体管与英特尔三栅极晶体管，我们可以发现其实二者之间的差别不是很大，只不过英特尔将连接两个侧闸门的部分也算一个闸门。其实不止IBM、三星英特尔等在对FinFET晶体管研究，还有许多研究机构以及企业对3D晶体管表现出浓厚兴趣。

摩尔定律

全文总结：近年来随着芯片工艺的不断发展，晶体管的尺寸也越来越接近物理极限，拯救摩尔定律也随之提出，新材料以及3D结构将是重要的两个着手点，摩尔还说过，摩尔定律不是定律，他是一个机遇，拯救摩尔定律也需要不断推陈出新的技术，而在这一过程中，谁能占得先机，提升集成电路的晶体管密度，提高芯片性能，谁就将在未来的芯片界站稳脚跟。