根据最新消息，IBM成功利用碳纳米材料，在单个芯片上集成了上万个9nm制程工艺的晶体管，相信大家对于著名的摩尔定律都略知一二，但是随着集成电路晶体管尺寸越来越小，CPU内存等芯片的发展势必与摩尔定律有些出入。要想继续按照摩尔定律发展，寻求新材料就成为一种必然，碳纳米料就是其中之一，另外3D芯片也是拯救摩尔定律的一种方法，三星、IBM、英特尔等等都在致力于3D芯片的研究。

IBM展示碳纳米晶圆

在集成电路的晶体管数目的规律上，业界有一个著名的摩尔定律。摩尔定律指出，当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。该定律是由英特尔创始人之一摩尔提出，这些年来一直与芯片的发展相符。

硅晶元

目前硅晶体管的制程工艺已经达到了32nm、20nm的水平，而且随着现在芯片领域越来越激烈的竞争，晶体管的尺寸也越来越小。例如比较知名的晶圆代工厂GlobalFoundries以及台积电、台联电都加进了下一代16nm制程工艺晶圆的研发。然而随着集成电路上的晶体管密度越来越大，其在密度上的增加就越来越困难。摩尔定律必将将晶体管的大小带到了一个物理上得极限。

英特尔晶体管研制计划

有报道指出，现阶段普遍应用的硅晶体管在尺寸上有一个10nm的物理极限。目前硅晶体管制程已经推进到22nm，14nm也近在咫尺，然而根据英特尔 2011年的一份技术资料，其10nm制程的CPU要等到2015年。而且10nm也接近了硅晶体管的物理极限。相比之下，要想摩尔定律继续有效，碳纳米材料更有希望提升晶体管密度来拯救摩尔定律。