在上周，IBM传出消息，在碳纳米晶体管上取得了重大技术突破，在单个芯片上集成了上万个碳纳米晶体管，虽然比起目前硅晶体管密度还有一定差距，但这却是碳纳米晶体管取代硅晶体管的重要一步。而根据此前的消息，IBM的碳纳米晶体管技术已经达到9nm的制程工艺水平。

晶体管密度

IBM的专家表示，在未来一个芯片的碳纳米管的密度要达到10亿每平方厘米，才能被广泛应用，现在这个只有上万个晶体管的芯片只是做测试用。

碳纳米晶体管示意图

根据国外媒体报道，IBM的科学家们已经研制出一种新的芯片，这种芯片是将碳纳米管覆盖层和硅晶片结合起来，在单个芯片上成功放置了上万个晶体管，虽然相比于目前硅晶体管芯片动辄上亿的数目不能相提并论，例如IBM Power7的晶体管数目就在12亿，但是未来碳纳米管可延伸的空间很大。

碳纳米管

据报道，IBM 首先给碳纳米管涂上一种表面活性剂，然后用化学处理过的氧化铪(HfO2)和二氧化硅(SiO2)制作基底，其中沟槽部分使用氧化铪，再将基底放到碳纳米管溶液里，碳纳米管就会通过化学键附着到氧化铪沟槽里，最终得以在单个芯片上制造上万个晶体管。