32纳米芯片接近商业化 IBM英特尔明年对决新制程

服务器在线4月16日报道：IBM可望在下一代Power处理器上使用32纳米技术。若IBM在今年第三季提供32纳米原型芯片，其商业化产品的上市时程应该是在2009年，而Intel的32纳米芯片上市时程，一样订在明年度。

半导体技术正在加速往32纳米制程前进。IBM与六家合作厂商周一宣布，32纳米芯片技术已经接近商业化阶段，预计今年第三季可以提供32纳米的原型芯片，让制造商开始设计终端产品。

IBM是与特许半导体（Chartered Semiconductor）、飞思卡尔（Freescale）、英飞凌（Infineon）、三星（Samsung）、意法半导体（STMicroelectronics），以及Toshiba等六家厂商，连手开发32纳米芯片技术。

IBM指出，32纳米制程采用High k/Metal Gate（高介电质金属闸极）材料，可缩小芯片体积，并且达到省电目的。根据可行性测试结果，在同样电压条件下，32纳米芯片比45纳米产品的效能高出35%，在同样效能表现的耗电量需求上节省45%的电力。

目前，IBM已在纽约州East Fishkill的12?晶圆厂进行32纳米芯片的制造工作，未来可为低耗电计算机、消费性电子产品，以及需要高效能的游戏机或企业服务器提供更好的芯片效能。一般预料，IBM可望在下一代Power处理器上，使用32纳米技术。

一直以来，晶体管是采用多晶硅栅极（gate）、二氧化硅作为绝缘层的方式，但进入纳米制程后，晶体管体积缩小，原有材料已无法应付严重的漏电现象，为解决问题，必须以更高绝缘性的高K电质（High-k）材料，搭配金属性的闸极设计，才能控制漏电状况。

Intel与IBM都运用类似技术，发展32纳米制程。其中，Intel已在Penryn芯片上使用High k/Metal Gate材质，并提出以铪（Hafnium）替代过去的二氧化硅，然后将闸极改成铪合金（Hf Alloy），以加速电路流通速度、降低芯片耗电功率。

若IBM在今年第三季提供32纳米原型芯片，其商业化产品的上市时程应该是在2009年，而Intel的32纳米芯片上市时程，一样订在明年度，再加上Intel的竞争对手AMD，正是IBM 32纳米技术的合作伙伴之一，如此一来，明年的芯片市场可望全面迈向32纳米阶段。

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