AI算力链双重进展:量子材料+SiC芯片突破

6月15日,AI算力与半导体底层材料与功率器件迎来两项关键进展。

据央视新闻,中核集团实现丰度超99.99%的硅-28同位素自主量产,关键指标达国际先进水平。该材料被称为“最纯净硅”,可显著降低量子计算环境噪声干扰,是硅基量子芯片核心基础材料之一,并有望应用于先进制程半导体、导航及计量基准等领域,推动AI芯片与量子计算底层材料自主化。

在功率半导体方面,英飞凌推出业界首款基于750V CoolSiC™ G2平台的双向碳化硅开关(BDS),采用双芯片共漏极结构与顶部散热封装,支持200V/ns高频开关与更低损耗设计,可提升AI服务器电源、电动汽车充电及HVDC数据中心供电系统效率。

该器件面向高算力基础设施、电网及储能系统,可用于AI数据中心HVDC供电、液冷电源系统及高密度机架供电方案,进一步强化AI算力基础设施能效与功率密度。

两项进展分别从“量子级材料底座”与“AI算力功率器件”两端,强化未来AI芯片与高性能计算体系的基础能力。

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