三星电子展出 HBM5 实物，2nm 基片 + HPB 散热，抢占下一代高带宽存储

三星电子在 2026 台北电脑展首发 HBM5 实物样品，依托存储 + 晶圆代工一体化优势攻坚下一代高端 HBM 市场。

三星电子首席技术官（CTO）Song Jaehyuk透露，HBM5 将搭载自研 HPB 高效导热结构，基片采用三星自研 2nm GAA 工艺打造，该散热技术已在 HBM4E 完成验证；产品同步落地混合键合工艺，区别于传统 TCB 封装，依托硅制程缩小互联间距、拉高带宽。研发端同步推进 12/16/20 层多规格堆叠方案，适配 AI 厂商大容量定制需求。

在Computex 2026上同步亮相已完成送样的 HBM4E 产品，采用 1c DRAM 裸片 + 4nm 代工基片，常态速率 14Gbps、峰值 16Gbps，带宽最高可达 4TB/s。此外三星已从设备、材料多维度布局 1nm 以下先进制程研发。