优势技术融合：三星量产3D V-NAND产品

过去的几年来，三星的高性价比的SSD在消费级的市场上广受好评，也逐步掌握了越来越多的话语权。两年前，三星推出的第一款TLC NAND产品 840 ，性能一般但是价格还可以。去年的840 Evo在TLC的基础上加入了速度较快的SLC NAND，现在三星推出结合了TLC NAND和3D V-NAND特性的产品，势必在市场上造成热烈反响。

在意识到NAND的价值后，三星非常想吃了这块蛋糕，这里说的是“3位多级单元(MLC)”。以前，该术语用的并不多，直到三星展示了植入MLC特性的TLC NAND的性能和寿命之后，这些术语便经常营销中误用。

撇开市场表现，我们仍有理由认为垂直的TLC比传统平面要有优势。三星的第一款V-NAND固态硬盘850 Pro比传统固态盘有更高的性能和可靠性，如果三星能把这些特性拓展到TLC硬盘，那将诞生市场上最具吸引力的产品。

三星的PR在不经意间透露在市场宣传中利用工艺节点问题误导消费者。三星曾宣称3D NAND两倍于10纳米级NAND的晶圆量，一位编辑表示“10纳米级的意思是其工艺制程在10到20纳米之间。”独立第三方评测机构Anandtech表示三星的V-NDND与16纳米的美光NAND相比仅有微弱的优势。

越小越好（图片源自AnandTech）

如果V-NAND真有两倍于原有10纳米级NAND的晶圆量，即便是他的特性尺寸都不如美光的好又或者说它的晶圆收益率也糟透了。就像你能猜到的那样，它还会采用替代的方法让产量看上去好点。

从市场的角度来分析，三星的3D NAND已经在市场上证明了自己潜在价值，公司的TLC也做的非常好，即便是840Evo产品家族有点问题，我们还是有理由相信三星有能力结合两个产品的特点推出更好的产品，甚至有可能使SSD的价格突破到50美分每GB。