2012年4月11日、12日，IDF(英特尔信息技术峰会)在北京国家饭店隆重举行。本届IDF以“引领潮流，直面未来”为主题。

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第一个做主题演讲的是英特尔中国区董事长、英特尔的公司的全球执行副总监马宏升，他演讲的主题为“英特尔与中国共赢未来”，马宏升介绍了英特尔推动核心技术的创新。

他重点介绍了三栅极的晶体管能够很明确的改善用户的体验，包括超极本、PC以及服务器。当然，也非常适用于体积更小，更便于携带的设备，比如说平板电脑和智能手机。

【图2 英特尔中国区董事长、英特尔的公司的全球执行副总监马宏升】

就像戈登.摩尔自己说的，摩尔法则不是一个法则，而是一个机遇。

在2007年，英特尔推出了世界上第一个高K金属栅极技术，这个的推出领先于我们整个行业三年。2011年，英特尔又推出了一个重大突破——实现了22纳米的制程技术，马宏升称之为“科学奇迹”。

那么，22纳米到底有多大?实际上你用肉眼是看不见的。

马宏升通过一个很有趣的对比形象地说明了22nm的体积之小，它用了比纳米级的晶体管大很多的几个模型，如果把晶体管放大到模型的比例放大，马宏升本人的体积将可以超过地球了。

为什么说它是一个革命性的进步呢?首先我们要理解平面晶体管的工作方式。晶体管是一个开关，跟大家家里的开关一样。关上开关，实际上代表着逻辑的0，打开是代表着一个逻辑的1。开和关的概念，0和1的概念，实际上是涵盖了我们生活中接触到的所有数字技术。

一个晶体管有几个组成部分，源极，栅极，高K介电材料,高K介电材料能够降低栅极的漏电。在栅极的电压为0时，晶体管就关闭了，电子就不会从源极流到漏极，电压附加到栅极上，晶体管就打开了。电子就自由的从源极流到漏极。

什么是好的晶体管呢?我们来设想另外一个非常常见的开关，也是在家庭当中常见的——淋浴，关上淋浴的时候，不希望水滴下来，打开淋浴的时候，希望这个水能够有很好的水流出来，水量很高，可以很好的冲澡。对于晶体管是一样的，我们希望控制好关闭的状态，确保没有漏电的情况。打开的时候，我们希望有很强的电流。

晶体管也应该能够很快速的在开关之间进行切换，三栅极的晶体管，不像平面晶体管。三栅极的晶体管用一个鳍状物的结构，这样3D的结构，能够改善开和关的状态的特性。那么在三栅极晶体管打开的时候，电子能够通过这个表面，通过鳍状物的表面，以及两边流动。所以，它的表面极更大，这样能够产生更大的开的电流。

通过利用3D的设计，能够控制3个方面的能力：使得能够降低漏电压;同时，能够更快的在开关之间进行切换;3D的晶体管体积更小，速度更快，能耗要低很多。它的设计是基于英特尔的应变硅技术，以及高K金属栅极的技术。那么，我们就能够在低电压，实现30%的性能提高。以及在持续性能降低，耗能高达50%。