下一代新型非易失存储器
谢长生,华中科技大学教授,武汉光电国家实验室副主任,信息存储系统教育部重点实验室主任,长期从事信息存储技术研究与教学,发表论文近200篇,拥有40余项专利,培养了大批博士和硕士生。
吴非,华中科技大学副教授,从事计算机存储技术研究,近年来对闪存、SSD和新型非易失性存储器进行了大量的研究和开发工作。
石鑫,华中科技大学博士生,研究方向为非易失性存储器。
1. 引言
数据处理、传输和存储是当今数字信息技术的三大基石。作为数据处理核心的微处理器,其主频已在过去20年间由几兆,几十兆发展到目前的4GHz以上,并由单核转向多核;在网络传输领域, 万兆以太网已开始普及,传输速率正朝着40Gbit/s 和100Gbit/s的方向高速发展。然而,以缓存(静态RAM,简称SRAM)、内存(动态RAM,简称DRAM)和硬盘为代表的外存储器组成的存储系统,性能提升却远落后于摩尔定律,成为计算机系统中严重的性能瓶颈,被业界称为"存储墙",这严重制约了计算、通讯等领域的发展,成为现代信息技术发展的绊脚石。
按照数据存储的时效性,存储器件可分为易失性存储器件(Volatile Memory, 简称VM)和非易失性存储器件(Non-Volatile Memory,简称NVM)。易失性存储器的特点是断电后所存储的数据会丢失,而非易失性存储器断电后数据不会丢失。目前广泛使用的易失性存储器SRAM和DRAM尽管速度快,但断电时数据会丢失,系统启动时,需要花时间从硬盘或闪存中转载数据,且能耗较大。目前最为广泛使用的非易失性存储器件是闪存(NAND、NOR Flash),其技术成熟,价格不断下降,不仅在U盘、消费电子设备、手机、平板电脑和高端笔记本电脑中得到广泛应用,还以固态盘、固态存储卡、全固态阵列等形式在高端存储系统中得到应用。然而,闪存存在着可重写次数低、写入速度慢(需擦除后再写)等缺点,而且随着密度的提高和线宽的减小,可重写次数和可靠性进一步降低,发展已受到物理原理的制约。存储的强烈需求激励着人们去探索新的非易失存储器件的原理和机理,现已发展出多种新型存储器件。下一代参与竞争的主流非易失性存储器件有铁电存储器(FeRAM)、磁存储器(MRAM)、相变存储器(PCM)、阻变存储器(RRAM)等几种,他们各有特点,如有的性能高,有的能耗低,有的成本低,可担任不同的角色。下面简单介绍几种新型非易失存储器的原理和特点。
2. 新型非易失存储器读写机理
2.1铁电存储器(FeRAM)
铁电存储技术在1921年被提出,1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FeRAM产品,目前所有的FeRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。2003年TOSHIBA公司与INFINEON公司合作开发出存储容量达到32Mb的FeRAM。
铁电存储器存储单元主要由铁电电容和场效应管构成,铁电电容的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。根据存储单元结构的不同,分为"双管双容"型(2T2C)、"单管单容"型 (1T1C)、"单管双容"型(1T2C)。1T1C 结构的应用比较普遍,如图1所示。根据铁电效应,将电场加载到铁电晶体材料上,晶体中的中心原子在电场的作用下运动,铁电晶体的极化方向发生改变并达到一种稳定状态,两种极化状态"-Pr"和"+Pr"分别对应存储器的逻辑"0"和逻辑"1"。当外加电场移除时,铁电晶体的状态不发生改变,数据可长期保存。当进行读操作时,对存储单元电容施加一已知电场(对电容充电),如果铁电晶体的中心原子位置与所施电场方向相同,则充电波形不变;如果中心原子位置不同,则充电波形出现一个尖峰,将带有尖峰的充电波形与参考位的充电波形进行比较,便可以判断存储单元中的内容是"0"或"1"。由于读操作可能导致存储单元状态的改变,因此每个读操作后面还伴随一个"预充"(precharge)过程来对数据位恢复。写操作和读操作十分类似,只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态即可。
2.2磁存储器(MRAM)
早在20世纪40年代,英国科学家威廉?汤姆森(Williams Thomson)发现磁电阻现象。磁阻效应包括巨磁阻GMR和穿隧磁阻TMR两类。早期的磁存储器采用巨磁阻GMR材料,由于GMR材料必须在很低的温度下才能够有较大的磁电阻变化, 因而其实用性并不大。随着材料技术的发展,1995年摩托罗拉公司(后芯片部门独立成为飞思卡尔半导体)演示了第一个1MB容量MRAM芯片原型。2007年,磁记录产业巨头IBM公司和TDK公司合作开发新一代MRAM,使用基于穿隧磁阻TMR特性的自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)的新型技术,利用放大了的隧道效应(tunnel effect),在室温条件下产生的磁阻变化远大于GMR,因此STT-RAM是磁存储器主要研究方向。2012年,Everspin公司推出64Mb容量的STT-RAM芯片,标志着STT-RAM芯片产业化的启动。
自旋扭矩转换磁存储器(简称STT-RAM)利用磁性隧道结的电阻变化指示存储状态;存储单元由一个晶体管和一个磁性隧道结(Magnetic tunnel junction,简称MTJ)构成,如图2所示。MTJ由自由层、隧道结、固定层组成。自由层的磁场极化方向是可变的,而固定层的磁场方向固定不变,当自由层和固定层的磁场方向平行时,存储单元呈现低电阻,表示逻辑"0";当磁场方向相反时,呈现高电阻,表示逻辑"1"。当进行数据读取时,对MTJ施加不足以改变自由层磁场方向的电压,此时会产生感应电流,存储单元电阻的高低决定感应电流的大小,将感应电流与参考值进行比较,来判断所存储的数据是0还是1。写操作是通过施加电压,改变MTJ存储单元的阻值状态记录数据存储的"0"和"1"。STT-RAM被认为是最有前景的下一代新型存储器之一。
2.3 相变存储器(PCM)
20世纪60年代 Dr. Stanford Ovshinsky开始研究无定形物质的性质。1970年,他与他的妻子Dr. Iris Ovshinsky共同建立能量转换装置(ECD)公司,发布了他们与Intel的Gordon Moore合作研发结果---第1个256位的半导体相变存储器;2008年,intel公司发布采用90nm工艺的128Mb容量的相变存储器件,命名为Alverstone。2010年,三星公司研制出512Mb的PCM器件,应用到三星手机中。
相变存储器利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据。根据每个相变存储单元能存储数据位数的个数,可分为每个单元存储一位数据型(Single level cell, 简称SLC)、每个单元存储两位数据型 (Multiple level cell,简称MLC)、每个单元存储三位数据型(Triple level cell,简称TLC)。其存储单元结构如图3所示。
2.4 阻变式存储器(RRAM)
早在1967年,Simmons 和 Verderber 就研究了Au/SiO/Al 结构的电阻转变行为,直到2000年,美国休斯顿大学(University of Houston)的Ignatiev研究小组报道了PrxCa12xMnO3(PCMO)氧化物薄膜电阻转换特性后,人们才开始对阻变存储器进行研究。2008年4月,惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件,并首先将RRAM和忆阻器联系起来。2012年,三星公司在科学杂志上发表文章宣布在RRAM(电阻式随机存储器)记忆体技术突取得突破。
阻变存储器(Resistive Random Access Memory,简称RRAM)是一种根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上的电压的不同,使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化,从而开启或阻断电流流动通道,并利用这种性质进行数据存储。
3. 各种新型存储器件的性能比较和分析
各种新型非易失性存储器由于在存储介质、存储机理的不同, 因此在读/写访问时间、数据存储的长效性、存储单元大小、编程/空载能耗开销上各具特点。表1列举了4种典型非易失性存储器与2种典型易失性存储器的对比。
从数据读写单元特性分析, 4种新型存储介质都与DRAM/SRAM类似, 都采用字节寻址方式。与闪存相比,他们都不需要整体擦除后再写,这对性能的提高是很有好处的。
从存储器的读特性分析可知,作为计算机缓存介质SRAM的读写速度最快,STT-RAM的读性能与SRAM相当;PCM、RRAM器件读性能与DRAM相当;而铁电存储器由于采用破坏性读出的工作模式,在读出数据后,会失去原有数据,需重新写入数据,所以FeRAM 在读过程中伴随着大量的擦除/重写的操作,一方面寿命和可靠性会受到严重影响,另一方面其读取性能较差。
从存储器的写特性分析,几种新型存储介质的写性能均弱于SRAM,STT-RAM的写延迟远大于读延迟,其性能介乎于SRAM和DRAM之间;PCM和RRAM的写性能弱于DRAM。
从能耗开销上分析,几种新型存储介质都存在读写能耗不对称的问题, 除了FeRAM是读能耗高于写能耗外, 其余3中存储介质均是写能耗远高于读能耗。STT-RAM写能耗是读能耗的8倍左右。
从数据存储耐久性上分析,STT-RAM的耐久性与DRAM、SRAM相当, 读写次数均无损,且不需要动态刷新,存储容量大于SRAM,而被认为是缓存SRAM的有力替代者;FeRAM、PCM、RRAM的存储密度非常高且其耐久性也高于108,而被认为是内存DRAM和EEPROM的有力替代者。其中PCM在进行写操作的时候,对介质有磨损,当写次数达到存储次数上限后,该存储单元会失效导致无法读写且数据丢失;FeRAM在进行读操作的时候,为破坏性读, 当读次数达到存储次数上限后,存储单元数据掉电后会丢失, 此时可以作为易失性存储器使用。
4. 各种新型存储器件应用前景
根据4种新型存储器件的读写特性、单元面积、密度以及功耗等特性的不同,其使用应用场景也各不相同。
FeRAM尽管存在破坏性读取的致命弱点,但其具有快达 20ns的编程速度、低操作电压和低能耗,在嵌入式存储应用领域展现了较大潜力,目前主要应用在IC卡和汽车电器等对环境要求不高的场景;FeRAM因所使用铁电晶体材料含有铅, 同时铁电材料在高温环境(85摄氏度以上)下数据保存可靠性大为降低,使FeRAM的普及应用受到影响。
STT-RAM因具有接近SRAM的读写特性,其应用非常广泛,学术界研究将STT-RAM与SRAM组合在一起,作为多核处理器的一级或二级Cache以解决缓存的能耗开销问题。最热门的研究是用其代替内存,形成所谓存储级内存(SCM-Storage Class Memory),可大大降低内存的能耗。在计算机中,为了与处理器速度匹配,尽量减少外存访问,造成内存越来越大,使"内存计算"成为一个新的研究领域。然而性能提高了,能耗也越来越大,内存的能耗已接近系统总能耗的30%,因此,用STT-RAM作内存对节省能耗有相当大的吸引力。针对读写不平衡问题,已经有人研究写隐藏技术,使所运行的程序感觉不到写操作实际存在的较大延迟。STT-RAM在服务器和阵列存储中,可用于日志更新和关键数据的写入及保存;在通讯系统中,可作为备份系统保存关键数据,无需专用的备份系统;在工业环境中,可工作在极端的温度条件和辐射环境中。STT-RAM的缺点是其成本较高,随着工艺的成熟和使用量的增加,这个问题会逐步解决。
相变存储器因其读写特性介乎于DRAM和Flash器件之间,在计算机系统中, 可将PCM和DRAM作为混合内存系统;在手机等嵌入式领域,将PCM作为系统存储部件代替Flash;学术界的研究多集中于将DRAM、PCM、Flash以及硬盘组合在一起的新型混合存储体系结构。PCM应用目前存在的主要问题是高密度下的散热问题,因为从原理上讲,这种存储器是靠电流产生的热来改变材料的晶态和非晶态,密度高且读写密集时,所产生的热量很难散开,这会造成材料的状态不稳定,使误码率大大上升,这个问题如果解决不好,就难以广泛使用。不过,现在已经有一些研究工作在进行,比如降低材料相变的电流值或者寻找散热好的材料及结构等。
阻变存储器表现出极高的密度前景,是未来很有希望的存储器,但目前存在的问题主要是其阻变机制还存在很大分歧,没有统一的理论解释,阻碍了RRAM的发展和应用。还有一种令人兴奋、被称之为忆阻器(Memristor)的存储器,它具有模拟记忆功能,特别是除了存储功能,还具有处理功能,这就为类似大脑细胞处理存储一体化的研究和应用提供了器件基础。不过,这类存储器的物理机制还存有很大争议,器件还处于实验室阶段,离实用化的距离更远一些。阻变存储是忆阻器的功能之一。
5. 展望
下一代新型非易失存储器表现出超越闪存的许多优异特性,展现了在未来计算机系统、移动设备和网络通讯系统中良好的应用前景。各研究单位和相关企业对这些器件的研究正如火如荼的进行,都期望在未来技术更新换代时占得先机。然而,这些器件的应用才刚刚开始,处于规模化应用的前夜。例如,以Everspin公司为代表的STT-RAM器件研发公司和以三星公司为代表的PCM器件研发公司,目前均已开始小批量生产,并被试用到嵌入式等应用环境中。而RRAM存储器件还处于机理研究阶段,还需进一步等待原型样片的研发。就目前情况而言,各种介质各具优点和缺点,各自有着自己更合适的应用领域,还不能断言哪种非易失存储器会在将来处于绝对的优势地位。经过规模应用后,总会有一种非易失存储器经过实践的考验脱颖而出,但现在对哪种存储器会成为将来的主流技术做出预言还为时过早。
纵观存储技术的历史,新的存储原理和新型存储器件的出现,往往会带动相关领域的重大变革。闪存的出现,已经在很大程度改变了以硬盘为主的存储体系,使得计算机系统、移动装置、消费电子产品和高端存储系统的面貌有了很大的改变。我们因此可以断言,新一代非易失性存储器有着非常乐观的应用前景,它将带来计算机系统结构、存储体系结构、操作系统、数据库等领域的深刻变革,也将在我们未来的数字化生活中起到重要的作用。