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紫光否认与SK海力士就闪存技术许可进行谈判与合作

12月份的时候网上流传的文章谈到了闪存存储知识产权的问题,文中称中国要研发自己的3D NAND技术很难不触碰到SK海力士等国际厂商的知识产权。

紫光集团发表声明称闪存只是产权不是SK海力士的,现在的3D NAND技术是自己开发的。

部分境外媒体声称,SK海力士半导体公司正在与清华紫光就芯片闪存技术许可进行谈判与合作。

韩联社也曾表示,中国的清华紫光系想采用SK海力士的知识产权,从而在现有的32层3D NAND上面有所突破。

声明中,紫光集团予以否认。

加盟紫光旗下长江存储的台湾DRAM教父高启全在接受媒体采访时表示,长江存储将在2019年量产64层堆栈的3D NAND闪存。此前消息显示,长江存储今年将出样32层 3D NAND产品。

从32层,到64层再到96层,甚至128层,3D NAND闪存技术驱动市场的发展,容量价格比越来越高,高的层数意味着产品和市场层面的极大优势。

全球领先企业都看中了这一市场,有人开始担心2019年闪存市场将出现产能过剩的情况。The Register总结了各家厂商逐鹿闪存市场的军备情况:

  • 东芝和西数正在着手扩大Fab 6的生产能力
  • 东芝的Fab 7厂将于2019年下半年开始生产96层或更高层数的3D闪存
  • 武汉东湖新区的长江存储将于2018年下半年投入使用,主要生产32层3D NAND
  • 英特尔在开发大连晶圆厂二期扩建工程,计划在2018年底前实现该厂产能翻番
  • 三星计划扩在西安的NAND厂,增加3D NAND在中国的产能
  • SK海力士正在投资新建一座M15厂,该工厂的目标是生产96层或更高层数的3D NAND,预计2019年投产。
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