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下一个倒下的会不会是紫光?

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半夜睡不着,爬起床来走到阳台去抽支烟,发现一只蟑螂,于是跟它聊了很长时间。把我对老婆的不满,对上司的不爽,对老板的压榨通通发泄给它听。烟抽完了,于是我狠狠一脚踩死了它,睡觉了……没办法,它知道的太多了……

以上不过是笔者从网上转载的一个笑话,之所以想拿这个笑话开头,就在于本文也许会遭遇那只蟑螂的境遇。

本想踏实准备春节放假的笔者,再一次紫光的消息所影响。总投资2600亿元的紫光南京半导体产业基地项目,昨日宣布正式落地。而一个月前,紫光集团在成都砸下2000亿元的紫光IC国际城项目。

到此,紫光集团董事长赵伟国在此前宣布,将会投资投中国存储产业总规模超过700亿美元的投资已经在武汉、成都、南京纷纷兑现。为此,他在昨天南京的签约会上对外界表示:“紫光集团在半导体领域的战略布局已基本成型”。

不到两年间,致力于中国存储产业自主崛起的如此大规模投资应当是前无来者,自然可喜可贺。此后,各界颂扬之声一片,有的媒体甚至将紫光称作中国存储产业的“脊梁”。在某种程度上这种评价并不为过,毕竟紫光集团下辖的成都、武汉、南京存储基地已经是中国最大的存储器制造项目了。

在一片叫好声中,我们也偶然会发现几滴“冷水”,例如“存储产业有风险投资需谨慎”之类的警示。不过这种话某种程度上和早上出门家人叮嘱的“注意安全”一样,相信的是百分之百的“安全”,“冷水”趋于隔靴搔痒。

然而,存储制造产业项目是把双刃剑,让紫光集团花出去700亿美金的时候收获风光无限,正如每次签约仪式上政府领导都会因为新的GDP蛋糕而喜笑颜开,但存储业者,尤其是占有最大需求企业存储市,很大会更加关系这种投资真的会如预期的那样好么,而也许会是紫光倒下去的导火索。

所以说,“下一个倒下的会不会是紫光”,这种考虑并非那么不实际?

当下需要这种投资么?当然,毋庸赘言是肯定了。很多因素都在支撑个结论。大数据、云计算、万物互联等需求加速了闪存把HDD赶下神坛的需求,而平面闪存又因摩尔定律对制程工艺的挤兑而让位3D NAND。换句话说,这正是全球企业级应用闪存产业技术供应与市场需求刚起的年代,紫光集团表示,这些半导体基地投资主要将用于生产 3D NAND Flash、DRAM 等内存芯片,所以说,中国自主产业的此时切入自然是正当其时了。

不过,还有个理由似乎没太引起大家的注意。那就是,虽说全球3D NAND Flash已经被三星、东芝/闪迪、美光/英特尔、海力士瓜分殆尽,但这种垄断之势的源头在于他们获得了先进的3D NAND架构技术。目前三星、东芝的3D NAND技术最早都是源自于飞索(Spansion)的Charge Trap架构,接下来英特尔和美光在今年64层技术竞争的时候,也是要转成Charge Trap架构。紫光下的长江存储在去年获得了飞索在3D NAND架构上的IP授权,这才是其入市的真正门票。

老话儿讲,“好的开始是成功的一半”。不过,这张门票却不能成为此时给紫光庆贺的理由,其反倒更像个烫手的山芋。

首先,这也许是个离看台太远的门票。三星是最早获得这种授权的,所以2013年其就研发出堆叠24层的3D NAND,同年就量产 48 层 3D NAND 内存,从而使其在如今的闪存市场可谓是一骑绝尘的感觉。紫光与飞索合作的目标在于共同研发32 层堆叠 3D NAND Flash,这就意味着未来武汉长江存储为此弹冠相庆的时候,已经被三星落后了很远了。

当下,东芝、三星、sk海力士已经在64层技术上磨刀霍霍,紫光势必成为看客。更有甚者,长江存储此前还专门发布新闻稿澄清,从未发布过 32 层 3D NAND Flash 今年量产的消息,目前连要生产的产品都还未有着落。

其次,飞索的IP授权会有多大价值。中国半导体产业的最为薄弱的环节就在于IC设计,中国严重缺乏芯片核心设计的创新能力。为此,两年前国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》首要任务和发展重点就在于“着力发展集成电路设计业”,旨希望“以设计业的快速增长带动制造业的发展”。

紫光希望弯道超车,买来设计IP也是好事。毕竟可以期望,未来其可以有如今华为通过海思挤兑高通那种成就的出现。但笔者咨询相关人士谈到,存储器的制造技术门槛更高,涉及到高深宽比的沟开挖、完全平行的侧壁、在整个硅片面上均匀的淀积层等诸多技术壁垒,其中又涉及到关键制造设备等引入与掌握。显然,这是一个有着高长期投入风险的行业。

紫光几乎零基础的产业进入,挑战毋庸赘言。而且,从2D转向3D,制程工艺的要求放缓了,未来比拼的重点应是堆叠技术。可以采用更为成熟的2D制程,这对紫光来说是优势,但如今大家都开始比拼64层堆叠工艺了,堆叠技术的竞争又会留给紫光多少机会呢?

也许,我们能在这上给予紫光更多希望,例如赵伟国一直希望战略投资美光,我们或许期望美光成熟的3D NAND制造技术可以让其拿来即用,至少可以降低投资成本。又或是,紫光与西数在南京联合成立了合资公司,而西数继续保持了与东芝在3D NAND研发上的合作关系,3D NAND制造也许在紫光南京半导体产业基地项目上会是个很好的突破口。

再者,期望投入之后的产出能否适合那时的市场需求。

1)投资规模够用么?例如,三星也正于京畿道平泽建设新厂,预定2017年上半启用,第一期投资额15.6134亿美元,建成后估计12寸晶圆月产量可达20万片。而以紫光南京半导体产业基地为例,其一期将投入约 100 亿美元,目标月产能约 10 万片。且不论技术工艺能力如何,这种投入产业比的比较,意味着紫光在存储制造上的投入还需要更具规模。还有,几家巨头在3D NAND生产投入上是从2D NAND制造生产线上转型,例如三星在2016年将西安Fab 16工厂16nm MLC产线转向48层V-NAND,而3D-NAND Flash的厂房新建等投资会远高于2D时数倍,这就更意味着投资3D NAND产业上巨头们的优势未来会更佳显现。

2)产能提升还重要么?针对企业级3D NAND Flash,除了市场缺口和技术应用刚刚兴起给中国留下机会外,产能也给中国留下了巨大的想象空间。但是,这个空间也面临着巨大挑战。例如,根据外媒报道,2017年三星新工厂Fab 17和Fab 18也都将投入V-NAND生产,3D技术也将向64层提升,预计三星V-NAND生产比重在2017年Q1可达到45%,Q2将达到50%以上,如今三星在2016年底V-NAND生产比重已突破35%。东芝计划在未来3年内投资额达8600亿日元(75亿美元),其中包括将在2017年3月开始建设的新工厂Fab 6,2018年Q3开始量产3D NAND,以及更新现有设备等。这或许意味着,长江、南京、武汉之后首先会是竞争对手在产能上的挤兑,即使目标月产能约 10 万片能实现。

3)紫光如何承受投资周期的漫长。NAND带来的技术壁垒势必导致投资周期的漫长,连现有巨头都未能幸免。例如,英特尔在2015年3月宣布研制出了32层3D NAND技术,直到一年后的2016年4月才有产品现身,而此时三星已经开始酝酿64层3D NAND 芯片的投产了,但东芝恐怕要到今年下半年才有量产64层的3D NAND能力。他们尚且如此,紫光的前途更会是荆棘坎坷。

综上所述,投资存储制造业既造就了紫光之美,也让其背负了存储之累。从这方面看,其挖角“台湾RAM教父”的南亚科总经理高启全,中华电信前任董事长、台积电前任首席执行官蔡力行和台联电前任首席执行官孙世伟等,似乎也只能算是完里长征第一步。

但不可否认的是,当前布局都是大基金的长尾,想象空间还是巨大的。

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